[发明专利]一种高可靠性的双面电池及其制备方法

权利要求书

1.一种高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于：在电池背面通过ALD或PEALD的方式制备氧化硅保护层(4)。

2.根据权利要求1所述的高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于：所述氧化硅保护层(4)位于硅片基体(1)与电池背面的氧化铝钝化层(5)之间。

3.根据权利要求2所述的高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于：所述氧化硅保护层(4)的厚度为0.1-2nm。

4.根据权利要求2所述的高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于：所述氧化铝钝化层(5)的底面设有氮化硅钝化及保护层(6)。

5.根据权利要求4所述的高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于：所述氧化铝钝化层(5)与氮化硅钝化及保护层(6)之间也通过ALD或PEALD的方式沉积一层氧化硅保护层(4)。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于，所述氧化硅保护层(4)沉积制备的具体工艺流程为：

Step1：在真空环境下，将气相硅基前驱体和氧化剂前驱体中的任一种前驱体A先通入反应器腔体，通过化学吸附保持在硅片基体(1)的背表面；

Step2：通入氮气或惰性气体进行清除，排除副产物和多余的前驱体；

Step3：通入硅基前驱体和氧化剂前驱体中的另外一种前驱体B，与已吸附在硅片基体(1)上的前驱体A发生反应生成氧化硅保护膜；

Step4：再次通入氮气或惰性气体进行清洗；

Step5：如此循环反复不同圈数，逐层生长薄膜。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于：氧化硅保护层(4)沉积时的硅基前驱体为六氯乙硅烷、双(叔丁氨基)硅烷、双(二乙氨基)硅烷、三(二甲氨基)硅烷及三甲硅烷基胺中的任一种；氧化剂前驱体为臭氧或氧气。

8.根据权利要求6所述的高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于：氧化硅保护层(4)沉积时控制反应腔内压力为2-50mbar，硅基前驱体脉冲时间为0.1-4s，流量为1-500sccm；氧化剂脉冲时间为1-10s，流量1-2000sccm，循环沉积次数1-50次。

9.根据权利要求8所述的高可靠性的双面电池制备方法，其特征在于：该制备方法具体包括制绒、扩散、激光SE、热氧化、氧化退火、背面沉积氧化铝钝化膜、背面沉积氧化硅薄膜和正、背面沉积氮化硅薄膜工序，背面沉积氧化铝钝化膜和背面沉积氧化硅薄膜采用同管或者异管进行。

10.一种高可靠性的双面电池，包括硅片基体(1)，其特征在于：所述硅片基体(1)的背面自内而外依次设有氧化硅保护层(4)、氧化铝钝化层(5)和氮化硅钝化及保护层(6)，所述氧化硅保护层(4)通过ALD或PEALD的方式沉积而成。

11.根据权利要求10所述的一种高可靠性的双面电池，其特征在于：所述氧化铝钝化层(5)和氮化硅钝化及保护层(6)之间也通过ALD或PEALD的方式沉积有一层氧化硅保护层(4)。