[发明专利]压电层为掺钪氮化铝的滤波器及电子设备在审
| 申请号： | 202110129394.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114826194A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 徐洋;庞慰;李葱葱 | 申请（专利权）人： | 诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 300462 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 氮化 滤波器 电子设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种滤波器，包括多个体声波谐振器，其中：
体声波谐振器包括压电层，所述压电层为掺钪氮化铝，钪的掺杂浓度在10％-14％的范围内；
所述滤波器为Band1频段的滤波器；且
在所述滤波器的发射端，压电层的厚度范围在0.503μm到0.696μm之间，在所述滤波器的接收端，压电层的厚度范围在0.439μm到0.647μm之间。
2.一种滤波器，包括多个体声波谐振器，其中：
体声波谐振器包括压电层，所述压电层为掺钪氮化铝，钪的掺杂浓度在10％-14％的范围内；
所述滤波器为Band3频段的滤波器；且
在所述滤波器的发射端，压电层的厚度范围在0.542μm到0.759μm之间，在所述滤波器的接收端，压电层的厚度范围在0.519μm到0.72μm之间。
3.一种电子设备，包括根据权利要求1或2所述的滤波器。
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