[发明专利]一种推挽式射频功率放大器和电路控制方法

权利要求书

1.一种推挽式射频功率放大器，其特征在于，所述推挽式射频功率放大器包括：耦合反馈电路、驱动级电路和功率输出级电路；所述耦合反馈电路与所述驱动级电路和/或所述功率输出级电路连接；所述驱动级电路与所述功率输出级电路连接；

其中，所述耦合反馈电路用于从第一晶体管和/或推挽式晶体管的输出端感应耦合交变电压；在所述交变电压与所述第一晶体管和/或推挽式晶体管的输入端电压方向相同的情况下，实现所述输入端输入信号的正反馈；所述第一晶体管表示所述驱动级电路中的晶体管，所述推挽式晶体管表示所述功率输出级电路中形成推挽式结构的第二晶体管和第三晶体管；所述耦合反馈电路还包括：反馈器件；所述反馈器件的一端用于接收所述交变电压，所述反馈器件的另一端与所述第一晶体管和/或所述推挽式晶体管的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的推挽式射频功率放大器，其特征在于，所述驱动级电路包括第一变压器的初级线圈；

在所述第一晶体管为异质结双极晶体管HBT的情况下，所述第一变压器的初级线圈与所述第一晶体管基极引出的次级线圈进行耦合，形成第二变压器；所述耦合反馈电路包括所述第一晶体管基极引出的次级线圈；

在所述第一晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的情况下，所述第一变压器的初级线圈与所述第一晶体管栅极引出的次级线圈进行耦合，形成第二变压器；所述耦合反馈电路包括所述第一晶体管栅极引出的次级线圈。

3.根据权利要求2所述的推挽式射频功率放大器，其特征在于，所述第二变压器的次级线圈直接与接地端连接；

或，在所述第一晶体管为HBT的情况下，所述第二变压器的次级线圈经所述第一晶体管发射极与接地端连接；

或，在所述第一晶体管为MOSFET的情况下，所述第二变压器的次级线圈经所述第一晶体管源极与接地端连接。

4.根据权利要求1所述的推挽式射频功率放大器，其特征在于，所述功率输出级电路包括第三变压器；

在所述第二晶体管和所述第三晶体管为HBT的情况下，所述第三变压器的初级线圈与所述第二晶体管基极引出的次级线圈进行耦合，形成第四变压器；所述第三变压器的初级线圈与所述第三晶体管基极引出的次级线圈进行耦合，形成第五变压器；所述耦合反馈电路包括所述第二晶体管基极引出的次级线圈和所述第三晶体管基极引出的次级线圈；

在所第二晶体管和所述第三晶体管为MOSFET的情况下，所述第三变压器的初级线圈与所述第二晶体管栅极引出的次级线圈进行耦合，形成第四变压器；所述第三变压器的初级线圈与所述第三晶体管栅极引出的次级线圈进行耦合，形成第五变压器；所述耦合反馈电路包括所述第二晶体管栅极引出的次级线圈和所述第三晶体管栅极引出的次级线圈。

5.根据权利要求4所述的推挽式射频功率放大器，其特征在于，所述第四变压器的次级线圈直接与接地端连接；

或，在所述第二晶体管为HBT的情况下，所述第四变压器的次级线圈经所述第二晶体管发射极与接地端连接；

或，在所述第二晶体管为MOSFET的情况下，所述第四变压器的次级线圈经所述第二晶体管源极与接地端连接；

所述第五变压器的次级线圈直接与接地端连接；

或，在所述第三晶体管为HBT的情况下，所述第五变压器的次级线圈经所述第三晶体管发射极与接地端连接；

或，在所述第三晶体管为MOSFET的情况下，所述第四变压器的次级线圈经所述第三晶体管源极与接地端连接。

6.根据权利要求1所述的推挽式射频功率放大器，其特征在于，所述反馈器件为以下任意一种：耦合反馈电容、可变电容、变容二极管、电阻二极管串联支路、RC串联支路、电阻、滤波器。

7.根据权利要求1所述的推挽式射频功率放大器，其特征在于，所述耦合反馈电路用于在第一晶体管和/或推挽式晶体管的输入端产生交变电压；在所述交变电压与所述输入端电压方向相反的情况下，实现所述输入端输入信号的负反馈。