[发明专利]一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法

权利要求书

1.一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在衬底上依次沉积底部电极、阻变层和顶部电极，获得若干个单器件忆阻器；这些忆阻器均为导电细丝型忆阻器；

(2)对每个单器件忆阻器进行电预处理；所述电预处理，是在顶部电极施加正向扫描或脉冲电压，底部电极接地，得到稳定的阻变性能；

(3)在衬底上沉积金属，通过金属使得单器件忆阻器之间连接，获得忆阻器交叉阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述沉积是指物理沉积或化学沉积，所述沉积是指先在衬底上光刻出图案，然后在图案区域进行沉积。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述图案是采用光刻技术，通过显影液显影产生的。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述顶部电极和所述底部电极在所述衬底上的投影互为直角，构成正交交叉电极的单器件忆阻器。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述物理沉积法为磁控溅射。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底在沉积前进行了清洁处理，所述清洁处理是将衬底依次放入丙酮、酒精、去离子水中，分别超声清洗10-20分钟，循环若干次，用氮气吹干后备用。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述金属为钛金属、铂金属的中一种或两种的混合。