[发明专利]一种快离子导体的制备方法及其产品

权利要求书

1.一种快离子导体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将锂源、镧源、锆源、钽源及溶剂混合，其中，以锂源、镧源、锆源及钽源的摩尔量之和为100％计，所述钽源的摩尔百分含量为1.1mol％-2mol％，经砂磨、烘干，得到混合干粉；

(2)将步骤(1)所述混合干粉进行煅烧，得到所述快离子导体。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中锂源、镧源、锆源及钽源的摩尔量之比为(7.5-7.9):3:(2-x):x，其中，x选自0.15-0.25；

优选地，步骤(1)中砂磨后浆料的固含量为30-40％；

优选地，步骤(1)中锂源的加入量过量8-15％。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中溶剂选自乙醇和/或异丙醇；

优选地，步骤(1)所述砂磨采用的磨球的直径为0.3-0.4mm；

优选地，所述磨球选自锆珠；

优选地，步骤(1)所述砂磨的转速为800-1200RPM；

优选地，步骤(1)所述砂磨的时间为1-5h。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述烘干的方法为喷雾干燥；

优选地，所述烘干在喷雾干燥塔中进行；

优选地，所述喷雾干燥的入口温度为250-270℃；

优选地，所述喷雾干燥的进料压力为5-20Pa；

优选地，所述喷雾干燥的出料温度为110-120℃；

优选地，所述喷雾干燥的出料频率为12-16Hz。

5.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中煅烧的气氛为空气气氛；

优选地，步骤(2)所述煅烧前将混合干粉平铺；

优选地，步骤(2)中煅烧的温度为850-950℃；

优选地，步骤(2)中煅烧过程的保温时间为9-11h；

优选地，步骤(2)中煅烧前的升温速率为2-5℃/min。

6.如权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述煅烧后还包括将产物进行磨细；

优选地，所述磨细的方法包括湿法砂磨；

优选地，所述湿法砂磨采用的溶剂为乙醇和/或异丙醇；

优选地，所述湿法砂磨采用的磨球的直径为0.3-0.4mm；

优选地，所述湿法砂磨的磨球选自锆珠。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述磨细之后还包括成品烘干。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述成品烘干的方法包括喷雾干燥；

优选地，所述成品烘干在喷雾干燥塔中进行；

优选地，所述成品烘干的过程中喷雾干燥的入口温度为250-270℃；

优选地，所述成品烘干的过程中喷雾干燥的进料压力为5-20Pa；

优选地，所述成品烘干的过程中喷雾干燥的出料温度为110-120℃；

优选地，所述成品烘干的过程中喷雾干燥的出料频率为12-16Hz。