[发明专利]一种成膜设备中载板定位方法和装置在审
申请号: | 202110131527.8 | 申请日: | 2021-01-30 |
公开(公告)号: | CN113394151A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677;H01L31/18;C23C16/50;C23C16/52 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波;张奕轩 |
地址: | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 设备 中载板 定位 方法 装置 | ||
本申请提供了一种成膜设备中载板定位方法和装置,所述方法包括预设第一位置和第二位置,其中所述第一位置为于所述成膜设备内传送的载板在前进方向上开始减速的位置,并且所述第二位置为所述载板的目标停止位置;设置所述载板在所述第一位置处的速度;根据所述第一位置和第二位置之间的距离、所述第一位置处的速度设置所述载板的运动参数,其中所述载板的运动参数能够使得所述载板停止于所述第二位置;以及根据所述运动参数控制所述载板的运动。本申请还提供了一种成膜设备中载板定位装置。通过本申请的处理方案,提高了成膜设备的镀膜效率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制备技术领域,尤其涉及一种成膜设备中载板定位方法和装置。
背景技术
在太阳能电池制备过程中,现有镀膜系统包括镀膜腔室、传送设备,为对承载基板的载板进行控制,通常还会在镀膜腔室的入口位置或出口位置设置检测设备,即采用传感器系统来检测载板的位置,准确控制镀膜腔室的入口门阀和出口门阀的关闭与开启,进而避免入口门阀或者出口门阀压碎基板的情况。
现有技术设置两个传感器,采用与传送方向中心垂直的方式安装并在腔室底部对应位置设置反光板。当载板通过传感器位置时会引起光通量的变化,从而实现检测载板的位置。然而,这种设置传感器的方式不适用于PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition的缩写,即等离子体增强型化学气相沉积)的工艺腔室。这是因为,PECVD的工艺腔室上盖设置有喷淋电极板,载板若定位在喷淋电板正对应的下电极中心位置,则当腔室上盖盖好后气体喷淋板占据了腔室上部的大部分空间,无法安装垂直位置的位置传感器。
目前只能将载板停在接近出口的位置,但这种方式只适用于载板惯量不大且速度不快的情况下。如果载板在高速传动时,碰到传感器传送系统虽然会启动停止,但载板同时也会在惯性的作用下向前滑动造成定位不准;如果载板处于低速传动时,碰到传感器传送系统会马上停止,载板向前滑动的距离会变小,但是载板在传动的过程中始终保持低速会导致载板在腔室内的工艺时间增长,影响设备的效率和节拍。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种成膜设备中载板定位方法和装置,至少部分解决现有技术中存在的问题。
第一方面,提供了一种成膜设备中载板定位方法,包括,
预设第一位置和第二位置,其中所述第一位置为于所述成膜设备内传送的载板在前进方向上开始减速的位置,并且所述第二位置为所述载板的目标停止位置;
设置所述载板在所述第一位置处的速度;
根据所述第一位置和第二位置之间的距离、所述第一位置处的速度设置所述载板的运动参数,其中所述载板的运动参数能够使得所述载板停止于所述第二位置;以及
根据所述运动参数控制所述载板的运动。
根据本发明实施例的一种具体实现方式,所述方法还包括:
预设所述成膜设备的入口位置和出口位置,
其中当所述载板在前进方向上到达所述出口位置时使得所述载板停止运动,并且
当所述载板在与所述前进方向相反的方向上传出到达所述入口位置时,能够使得所述载板停止运动。
根据本发明实施例的一种具体实现方式,在所述第一位置、所述入口位置和所述出口位置分别设置位置检测传感器,并且当所述载板到达所述第一位置、所述入口位置和所述出口位置时,触发设置于相应位置处的位置检测传感器,以分别获取所述载板到达所述第一位置、所述入口位置和所述出口位置时的速度。
根据本发明实施例的一种具体实现方式,在所述入口位置处设置位置检测传感器,并且在所述载板前进方向上设置激光位移传感器,所述激光位移传感器用于测量所述载板与所述激光位移传感器之间的距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造