[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法在审

申请号：	202110131532.9	申请日：	2021-01-30
公开（公告）号：	CN113394309A	公开（公告）日：	2021-09-14
发明（设计）人：	不公告发明人	申请（专利权）人：	宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/074
代理公司：	北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718	代理人：	彭一波;张奕轩
地址：	242074 安徽省宣城市宣城经***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	一种太阳能电池及其制备方法
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【说明书】：

本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括N型硅片基底；第一本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅层设置于所述N型硅片基底的至少一侧；微晶硅层，所述微晶硅层设置于所述第一本征非晶硅层远离所述N型硅片基底的一侧；氮化硅层，所述氮化硅层设置于所述微晶硅层远离所述N型硅片基底的一侧；以及第一电极层，所述第一电极层设置于所述微晶硅层的外表面，并且所述第一电极层穿过所述氮化硅层与所述微晶硅层电接触。本发明采用微晶硅层代替原有的非晶硅层和透明导电层，并在微晶硅层上设置氮化硅层，既保证了表面透光性，减少了光的反射，又保证了表面的导电性，还能够降低寄生吸收，提高了太阳能电池的发电效率。

技术领域

本发明属于新能源技术领域，尤其涉及高效硅异质结电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术

标准的高效硅异质结电池的制作顺序为提供N型硅片→通过PEVCD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)形成本征非晶硅层与非晶硅N层→通过PEVCD形成本征非晶硅层与非晶硅P层→形成N面透明导电层(TCO)→形成P面透明导电层(TCO)→丝网印刷银浆电极。

传统高效硅异质结电池中，寄生吸收层(parasitic absorption layer)一直是异质结电池的致命伤，在异质结电池中，通常寄生吸收层为正面的透明导电层、本征非晶硅层与非晶硅N层，对异质结太阳电池中的电流影响高达3-4mA/cm²，以硅异质结电池电流密度38mA/cm²而言，如果可以将寄生吸收层的电流影响降至1-2mA/cm²，异质结电池转换效率将可达24-25％，会非常具有竞争性，因而如何降低寄生吸收会是一个很明确的方向。

硅异质结电池中，常用的透明导电层是使用氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)，影响的电流密度约1mA/cm²加上其成本占整个电池的5％，是一个很好同时降低成本与提升电池效率的方向。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提出一种太阳能电池及其制备方法，其采用微晶硅层代替原有的非晶硅层和透明导电层，并在微晶硅层上设置氮化硅层，既保证了表面透光性，减少了光的反射，又保证了表面的导电性，还能够降低寄生吸收，提高了太阳能电池的发电效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种太阳能电池，包括N型硅片基底，还包括：

第一本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅层设置于所述N型硅片基底的至少一侧；

微晶硅层，所述微晶硅层设置于所述第一本征非晶硅层远离所述N型硅片基底的一侧；

氮化硅层，所述氮化硅层设置于所述微晶硅层远离所述N型硅片基底的一侧；以及

第一电极层，所述第一电极层设置于所述微晶硅层的外表面，并且所述第一电极层穿过所述氮化硅层与所述微晶硅层电接触。

根据本发明实施例的一种具体实现方式，所述第一电极层为环状，所述第一电极层镶嵌在所述氮化硅层中。

根据本发明实施例的一种具体实现方式，其特征在于，所述氮化硅层的厚度小于所述第一电极层的厚度。

根据本发明实施例的一种具体实现方式，当所述第一本征非晶硅层设置于所述N型硅片基底的一侧时，所述太阳能电池还包括：

第二本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层设置于所述N型硅片基底的与所述第一本征非晶硅层相对的一侧；