[发明专利]一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法

权利要求书

1.一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器，其特征在于，包括第一亚波长光栅、第二亚波长光栅、线圈、磁体和MEMS弹簧，所述太赫兹波幅度调制器基于伍德异常现象对太赫兹波进行调制；

所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅位于上下两层且相互平行，键合构成双层光栅；所述线圈置于第二亚波长光栅上，所述MEMS弹簧与第二亚波长光栅相连；

所述线圈通电时，在所述磁体的作用下带动第二亚波长光栅相对于第一亚波长光栅发生位移，位移方向与所述双层光栅平行。

2.如权利要求1所述的太赫兹波幅度调制器，其特征在于，所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅采用高阻硅加工而成。

3.如权利要求2所述的太赫兹波幅度调制器，其特征在于，所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅为条状、圆环状或矩形一维光栅。

4.如权利要求2所述的太赫兹波幅度调制器，其特征在于，所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅为二维光栅。

5.如权利要求2所述的太赫兹波幅度调制器，其特征在于，除所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅外还包括其他亚波长光栅，构成三层以上光栅结构。

6.如权利要求1所述的太赫兹波幅度调制器，其特征在于，所述磁体为配有轭铁的永磁体。

7.如权利要求1-6任一项所述太赫兹波幅度调制器的制备方法，其特征在于，所述第一亚波长光栅的制备包括以下步骤：

利用双层胶进行光刻图形化；

电子束热蒸发法镀金；

去掉双层胶，剥离金，留下焊盘与对准标记；

光刻进行光栅结构的图形化；

对硅片背部镀铝作为刻蚀截止层；

进行深硅刻蚀；

去胶去铝，进行释放。

8.一种如权利要求1-6任一项所述太赫兹波幅度调制器的制备方法，其特征在于，所述第二亚波长光栅的制备包括以下步骤：

利用双层胶进行光刻图形化；

电子束热蒸发法镀金；

去掉双层胶，剥离金，留下种子层；

光刻进行焊盘、柱子和对准标记的图形化；

进行3D电镀，得到有高度差的柱子与焊盘；

光刻进行光栅结构的图形化；

对硅片背部镀铝作为刻蚀截止层；

进行深硅刻蚀；

去胶去铝，进行释放。