[发明专利]发光器件和电子设备

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

第一电极；

第二电极，面对所述第一电极；以及

中间层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发射层，

其中，所述发射层包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，

所述主体、所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂彼此不同，

所述第一掺杂剂是磷光掺杂剂，

所述第二掺杂剂的斯托克斯位移小于或等于15nm，

所述第一掺杂剂的发射光谱与所述第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分大于或等于1.5×10¹⁵M^-1cm^-1nm⁴，并且

所述光谱重叠积分通过等式1来评价：

等式1

其中，在等式1中，

J(λ)是以M^-1cm^-1nm⁴为单位的所述第一掺杂剂的所述发射光谱与所述第二掺杂剂的所述吸收光谱的所述光谱重叠积分，

ε(λ)是以M^-1cm^-1为单位的由所述第二掺杂剂的所述吸收光谱计算的所述第二掺杂剂的摩尔消光系数，

λ是以nm为单位的所述发射光谱和所述吸收光谱的波长，并且

F_D(λ)是所述第一掺杂剂的归一化的所述发射光谱，并且

其中，所述第一掺杂剂的所述发射光谱是在室温下在5μM所述第一掺杂剂的甲苯溶液中评价的发射光谱，并且

所述第二掺杂剂的所述吸收光谱是在室温下在5μM所述第二掺杂剂的甲苯溶液中评价的吸收光谱。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一掺杂剂是含过渡金属的有机金属化合物。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二掺杂剂的所述斯托克斯位移大于或等于5nm且小于或等于15nm。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述光谱重叠积分大于或等于1.5×10¹⁵M^-1cm^-1nm⁴且小于或等于2.0×10¹⁵M^-1cm^-1nm⁴。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长大于或等于430nm且小于或等于470nm。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长大于所述第二掺杂剂的吸收光谱中的吸收峰波长。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，激子从所述第一掺杂剂的最低激发三重态能级跃迁到所述第二掺杂剂的最低激发单重态能级，并且在所述第二掺杂剂的所述最低激发单重态能级处的激子跃迁到基态，从而发射光。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在从所述发射层发射的总发射分量之中，从所述第二掺杂剂发射的发射分量的比例大于或等于80％。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层发射具有大于或等于420nm且小于或等于470nm的发射峰波长的蓝光。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层发射具有大于或等于0.115且小于或等于0.135的CIE x色坐标以及大于或等于0.120且小于或等于0.140的CIE y色坐标的蓝光。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一掺杂剂的量和所述第二掺杂剂的量之和小于所述主体的量。