[发明专利]无主栅异质结太阳能电池组件互联用复合膜及其制备方法有效
申请号: | 202110133529.0 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN112786727B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 熊军 | 申请(专利权)人: | 无锡市联鹏新能源装备有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 沃赵新 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无主 栅异质结 太阳能电池 组件 联用 复合 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种无主栅异质结太阳能电池组件互联用复合膜,包括复合膜本体和铜丝线,复合膜本体包括基材层和胶膜层,胶膜层设于基材层上,铜丝线具有若干根,沿着胶膜层平行嵌设在胶膜层上;其制备方法包括将铜丝线排列绷直,将一整片复合膜本体或将其切割成切片薄膜后胶面朝上放在压合工装加热平台上,用一半铜丝线压住复合膜本体或切片薄膜,将另一整片复合膜本体或将其切割成切片薄膜后胶面朝下放置在另一半铜丝线上,合上压合工装,调整压合压力和压合时间,将铜丝线与复合膜本体压合在一起制作成所需的复合膜并取出冷却。本发明的复合膜制作流程简单,能够提高生产效率,成本低且结构多样,使用效果更好。
技术领域
本发明涉及一种无主栅异质结太阳能电池组件互联用复合膜及其制备方法。
背景技术
晶体硅异质结太阳电池具有转换效率高、双面率利用率高、无光衰、温度系数低、弱光响应高、工艺步骤少、结构对称等优点,但是由于技术门槛和材料成本高,特别是电极银浆成本制约了异质结的迅速发展,其电极金属化采用的是低温银浆,由于低温银浆固化后体积电阻率高,必须印刷足够的银浆以降低栅线内阻,银浆耗量高,是普通晶硅电池的好几倍。
现有国外先进的无主栅电池互联技术有通过表面涂敷有低温合金的圆形铜线将电池片进行互联。铜线预排布在聚合物薄膜上,然后铜线和聚合物薄膜一起铺设于电池片上进行层压。铜线表面的低温合金在层压过程中熔化,使铜线粘结在电池片上。由于该方法采用层压互联工艺,其配套封装材料以及相关设备价格昂贵,因此目前该方法制造成本相对较高。
公布号CN106847968A的发明专利《一种双面晶体硅异质结无主栅太阳能电池片的封装方法》,通过将热压敏胶或光敏胶沿铜丝方向覆盖在铜丝和电池片上后,将胶体固化或预先在铜丝与栅线结点处点上圆形图案的固化导电浆或黏贴上导电胶带的方式封装,该方法由于需要在铜丝与栅线结点粘附导电浆/导电胶带,当接触点比较多时,该方法操作复杂,生产效率低,制作成本较高。
无主栅晶体硅异质结太阳能电池组件作为一个新的研究方向,受到业内普遍关注。其一,无主栅焊带的直径小,遮光面积大幅度降低;其二,无主栅焊带与电池细栅线的焊接不再使用红外加热的方式,而是通过普通层压工艺来实现,产生虚焊和漏焊的可能性减小。
公布号CN107057598A的发明专利《用于无主栅太阳能电池组件的复合膜及其制备方法》,通过将上粘结层的原料组分熔融后流延在基底膜上,经过牵伸、冷却后形成复合膜,然后用镀锡铜丝镶嵌在复合膜的表面上,但该方法制作流程复杂,需要二次熔融流延工艺,制作成本高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种无主栅异质结太阳能电池组件互联用复合膜,旨在解决现有技术中传统复合膜需采用二次熔融流延工艺,制作流程复杂,成本高且结构形式单一,导致生产效率低及使用效果不尽人意的技术问题。
本发明的技术方案是:一种无主栅异质结太阳能电池组件互联用复合膜,包括复合膜本体和铜丝线,所述复合膜本体包括基材层和胶膜层,所述胶膜层设于基材层上,所述铜丝线具有若干根,沿着胶膜层平行嵌设在胶膜层上。
进一步的,本发明中所述基材层为PP、PC、PET、PE、PMMA、PS、PVF或PVDF薄膜。
进一步的,本发明中所述基材层的厚度为0.01~0.2mm。
进一步的,本发明中所述基材层为具有镂空结构的镂空薄膜。
进一步的,本发明中所述胶膜层为聚氨酯、EVA、PUR、TPO、TPU或PA胶膜。
进一步的,本发明中所述胶膜层的厚度为0.01~0.2mm。
进一步的,本发明中所述铜丝线的直径为0.05~0.5mm。
进一步的,本发明中所述铜丝线的表面镀有金属或合金材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的