[发明专利]用于晶圆的快速退火工艺

权利要求书

1.用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，在基础中快速退火工艺中的快速升温步骤前对硅片进行固相外延处理。

2.根据权利要求1所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1，加载经过离子注入处理的硅片；

S2，固相外延处理；

S3，快速升温；

S4，退火冷却；

S5，卸载晶圆。

3.根据权利要求2所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，步骤S1中，所述离子注入处理为重掺杂处理，所述离子为原子质量大于70的离子。

4.根据权利要求3所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，所述离子为砷离子、磷离子或硼离子。

5.根据权利要求2所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，步骤S2中，所述固相外延处理为20-30秒的700-750℃的中低温回火处理。

6.根据权利要求2所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，步骤S3中，所述快速升温的升温速率大于100℃/s，所述快速升温过程中的尖峰温度为1000-1080℃。

7.根据权利要求2所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，步骤S4中，所述退火冷却的降温速率大于100℃/s。