[发明专利]半导体结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110133835.4 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112992807A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 吕文隆 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/48
代理公司: 北京植德律师事务所 11780 代理人: 唐华东
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,包括:

重布线层,具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;

第一电子组件,设于所述第一表面或所述第二表面,所述第一电子组件与所述重布线层电连接;

第一支撑件,设于所述第一表面或所述第二表面;

模封层,包覆所述重布线层、所述第一电子组件以及所述第一支撑件。

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,所述重布线层具有至少一个通孔;以及

所述模封层,包覆所述重布线层、所述电子组件以及所述第一支撑件,包括:

所述模封层通过所述至少一个通孔包覆所述重布线层、所述第一电子组件以及所述第一支撑件。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构,其中,所述半导体结构还包括:

第二电子组件,设于所述第一表面或所述第二表面,所述第二电子组件与所述重布线层电连接。

4.根据权利要求1或2所述的半导体结构,其中,所述半导体结构还包括:

第二支撑件,设于所述第一表面或所述第二表面。

5.根据权利要求4所述的半导体结构,其中,所述半导体结构还包括:

固定件,设于所述第一支撑件与所述重布线层之间、所述第二支撑件与所述重布线层之间。

6.根据权利要求4所述的半导体结构,其中,所述重布线层包括第一线路层、第二线路层和介电层,所述第一线路层和所述第二线路层内埋于所述介电层并从所述介电层露出,所述第一线路层与所述第二线路层电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构,其中,所述第一支撑件,设于所述第一表面或所述第二表面,包括:

所述第一支撑件设于所述第一线路层或所述第二线路层上;和/或

所述第二支撑件,设于所述第一表面或所述第二表面,包括:

所述第二支撑件设于所述第一线路层或所述第二线路层上。

8.根据权利要求7所述的半导体结构,其中,所述第一支撑件或第二支撑件从所述模封层露出;以及

所述半导体结构还包括:

导电元件,设于所述第一支撑件或所述第二支撑件上,所述导电元件通过所述第一支撑件或所述第二支撑件与所述重布线层电连接。

9.根据权利要求6所述的半导体结构,其中,所述第一支撑件,设于所述第一表面或所述第二表面,包括:

所述第一支撑件设于所述介电层上;和/或

所述第二支撑件,设于所述第一表面或所述第二表面,包括:

所述第二支撑件设于所述介电层上。

10.一种制造半导体结构的方法,包括:

在第一载体上设置第一支撑件;

在第二载体上形成重布线层,所述重布线层具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;

将第一电子组件设置在所述第一表面或所述第二表面;

将所述第一支撑件设置在所述第一表面或所述第二表面;

在所述重布线层上设置至少一个通孔;

填入模封材,所述模封材经过所述至少一个通孔以形成包覆所述重布线层、所述第一电子组件以及所述第一支撑件的模封层。

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