[发明专利]聚酰亚胺图形化薄膜制备用聚合固化装置及制备方法在审
申请号: | 202110133909.4 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN112786496A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 王新;蒋振雷 | 申请(专利权)人: | 杭州晶通科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张超 |
地址: | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 图形 薄膜 制备 聚合 固化 装置 方法 | ||
1.一种聚酰亚胺图形化薄膜制备用聚合固化装置,其特征在于:包括腔体,腔体上有能够和外界完全隔绝的可封闭门,腔体侧壁内预埋了若干冷却循环水管,腔体内设有升降台,升降台上设有晶圆支架,晶圆支架沿垂直方向设有多个能够单独对晶圆进行加热的加热盘,腔体上还设有氮气进口、气压检测装置、温度检测装置和真空泵,温度检测装置为温度传感器,且温度传感器的检测方向沿斜下的方向朝向任一晶圆支架上的加热盘。
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺图形化薄膜制备用聚合固化装置,其特征在于:所述温度传感器为红外温度传感器。
3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺图形化薄膜制备用聚合固化装置,其特征在于:氮气进口连接氮气生成器,氮气生成器、气压检测装置和真空泵连接到同一个控制装置。
4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺图形化薄膜制备用聚合固化装置,其特征在于:温度检测装置、冷却循环水管和加热盘连接到控制装置。
5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺图形化薄膜制备用聚合固化装置,其特征在于:所述温度传感器的检测方向和水平面夹角为45°。
6.根据权利要求3或4所述的聚酰亚胺图形化薄膜制备用聚合固化装置,其特征在于:所述控制装置为89C51单片机。
7.一种如权利要求1所述的聚酰亚胺图形化薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)机械手将多个晶圆夹持并输送到腔体内的各加热盘上;
2)关闭可封闭门,对腔体进行抽真空,使得腔体内气压达到mTorr量级的真空状态;
3)以0.5~4℃/s的速度对腔体进行升温,加热到80℃;
4)腔体内保持80℃的状态下60~600s;
5)以0.02~0.1℃/s的速度对腔体进行升温,加热到230℃;
6)腔体内保持230℃的状态下1800s;
7)以2~5℃/s的速度对腔体进行降温,降至室温。
8.根据权利要求7所述的聚酰亚胺图形化薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤2)~步骤6)中,腔体内始终保持mTorr量级的真空状态。
9.根据权利要求7所述的聚酰亚胺图形化薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤2)~步骤6)中,氮气生成器提供氮气的过程中,同时开启真空泵进行抽真空,使得腔体内始终保持mTorr量级的动态平衡的真空状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造