[发明专利]一种新型静电吸附卡盘在审
申请号: | 202110133956.9 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN112768401A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 王蜀豫 | 申请(专利权)人: | 杭州晶通科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张超 |
地址: | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 静电 吸附 卡盘 | ||
1.一种新型静电吸附卡盘,其特征在于:包括由两个铝制半圆盘面共同配合构成的圆形卡盘,两个铝制半圆盘面间接合处设置绝缘层,铝制盘面上有陶瓷层,两个半圆盘面的圆心位置分别设有C型凸台,C型凸台上设有延伸到电源处的C型槽,C型凸台的上表面和槽壁均设有连续的钛和氮化钛涂层,使得C型凸台上表面的静电电压能够直连到电源作为中性地,圆形卡盘在陶瓷层形成自圆心设有向外扩散的若干半径不同的导流环槽,陶瓷层上,自最内层的导流环槽上设有朝向半圆盘面外围的若干导流线槽,在半圆盘面的周向靠近最外围的盘面上设有若干均匀分布的出气孔,半圆盘面靠近C型凸台的盘面上设有若干均匀分布的进气孔,两个半圆盘面构成的圆形卡盘的进气孔和出气孔间均匀分布有三个互呈120°夹角的第一顶针孔,在圆形卡盘的出气孔外设有和C型凸台高度相同的沉积环。
2.根据权利要求1所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:在沉积环的外壁至少设有一个定位槽,设于沉积环外的沉积环安装支撑内壁设有和定位槽配合的定位凸起。
3.根据权利要求1所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:导流环槽和导流线槽共同包围形成的若干陶瓷面上设有若干钛制小面积接触点,钛制小面积接触点的外表面涂覆有氮化钛层。
4.根据权利要求1所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:所述绝缘层为聚苯乙烯交联树脂层。
5.根据权利要求1所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:所述出气孔连接负压生成设备。
6.根据权利要求1所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:所述第一顶针孔中设有能够在第一顶针孔中上下位移的顶针。
7.根据权利要求2所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:所述沉积环安装支撑设置于厂务支持盘中,厂务支持盘具有能够放置沉积环安装支撑的腔槽,腔槽的底部对应位置设有能够对进气孔提供冷却气体的冷却气孔,能够与出气孔连接并提供负压环境的出气通道,能够和第一顶针孔配合并提供顶针位移空间的第二顶针孔,能够实时检测被沉积环安装支撑包围的圆形卡盘温度的温度传感器,能够分别为两个半圆盘面提供正极和负极的正负极端子,能够将C型槽的浮动中性地连接到电源的浮动中性地接头,以及能够对圆形卡盘进行冷却的在底部内形成的非接触式冷却水腔体,冷却水腔体和外部的冷却水连接。
8.根据权利要求5所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:所述负压生成设备为真空泵或厂务真空系统。
9.根据权利要求7所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:在圆形卡盘的底部设有能够供温度传感器探入并测量卡盘内温度的槽口。
10.根据权利要求1或3所述的新型静电吸附卡盘,其特征在于:C型凸台凸起的高度、沉积环的高度以及小面积接触点凸起的高度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造