[发明专利]缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统在审
申请号: | 202110134057.0 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112802771A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 汪金凤 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 检测 晶圆图 优化 方法 及其 系统 | ||
本发明提供了一种缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统,所述缺陷检测晶圆图优化方法包括以下步骤:通过机台端对晶圆进行缺陷检测并得到晶圆图;对所述晶圆上的各个芯片进行针测,并将所述芯片的针测数据导入所述机台端;根据各个芯片的针测数据生成晶圆针测图;使所述晶圆针测图与所述晶圆图的比例及坐标均保持一致以对所述晶圆针测图和所述晶圆图进行比对,并在所述晶圆图中标记出不在所述晶圆针测图中的芯片。通过将针测数据导入机台端并生成晶圆针测图,并将所述晶圆针测图与机台端的晶圆图进行比对,能够高效、准确的标记出无效芯片,实现晶圆图的优化,从而释放机台产能,节省时间并降低人力消耗。
技术领域
本发明半导体缺陷检测技术领域,尤其涉及一种缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统。
背景技术
在缺陷检测过程中发现wafer edge defect count(晶圆边缘缺陷总量)相对较高,包含litho(光刻)defocus(失焦)和CMP(化学机械平坦化)引起的defect(缺陷)以及TF(塑封体切割)造成的discolor(塑封体变色)等缺陷,此类缺陷的数量较大,且部分位于后续不需要针测的芯片中(即无效芯片,价值较低,通常会舍弃),会造成其它key defect(有效芯片上的缺陷)淹没其中无法有效报警,而且后续的缺陷检测站点均能catch(检测)到,会影响多道process(工序)的monitor(监视器)。
发明内容
本发明的目的在于提供一种缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统,能够将不测针测的芯片的快速标记,实现晶圆图的优化。
为了达到上述目的,本发明提供了一种缺陷检测晶圆图优化方法,包括以下步骤:
通过机台端对晶圆进行缺陷检测并得到晶圆图;
对所述晶圆上的各个芯片进行针测,并将所述芯片的针测数据导入所述机台端;
根据各个芯片的针测数据生成晶圆针测图;
使所述晶圆针测图与所述晶圆图的比例及坐标均保持一致以对所述晶圆针测图和所述晶圆图进行比对,并在所述晶圆图中标记出不在所述晶圆针测图中的芯片。
可选的,通过机台端对晶圆进行缺陷检测并得到晶圆图的步骤具体包括:
判断所述芯片的尺寸是否大于阈值,若所述芯片的尺寸大于或等于所述阈值,则通过机台端对所述晶圆进行缺陷检测并得到晶圆图。
可选的,若所述芯片的尺寸小于所述阈值,则通过机台端对晶圆进行缺陷检测并得到晶圆图的步骤包括:
通过所述机台端对所述晶圆进行预扫描以生成晶圆预扫描图;
对所述晶圆预扫描图上的芯片进行合并,直到合并后的芯片大于或等于所述阈值时,输出最终的晶圆图。
可选的,对所述晶圆预扫描图上的芯片进行合并的步骤具体包括:
定义所述芯片合并的起始位置,并以所述起始位置为中心向X方向及Y方向分别进行合并。
可选的,定义所述芯片合并的起始位置,并以所述起始位置为中心向X方向及Y方向分别进行合并时,遵循有效芯片数量最多的合并原则。
可选的,所述针测数据包括三位代码。
基于此,本发明还提供了一种缺陷检测晶圆图优化系统,包括:
机台端,用于对晶圆进行缺陷检测并得到晶圆图;
针测模块,用于对所述晶圆上的各个芯片进行针测,并将所述芯片的针测数据导入所述机台端;
转换模块,部署于所述机台端,用于根据各个芯片的针测数据生成晶圆针测图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造