[发明专利]一种芳纶导电薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种芳纶导电薄膜的制备方法，其特征在于包括：

将芳纶溶于浓硫酸，形成芳纶铸膜液；

将所述芳纶铸膜液施加于基体表面，之后置于银纳米线的乙醇散液中进行于30~70℃进行相转移处理10~120s，再将所获基体浸渍于凝固液中进行凝固处理，并于30~100℃进行凝固处理6~48h，获得凝胶膜；其中，所述银纳米线的乙醇分散液中银纳米线的浓度为1~200mg/ml；所述凝固液包括去离子水、乙醇、去离子水和乙醇的混合溶液中的至少任意一种；

以及，对所获凝胶膜于60~150℃进行干燥处理2~48h，获得芳纶导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述凝固液为去离子水和乙醇的混合溶液时，所述去离子水和乙醇的混合溶液中乙醇的浓度为10~100wt%。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基体选自玻璃板和/或硅片。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述芳纶选自芳纶粉末和/或芳纶纤维。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述浓硫酸的浓度大于95wt%。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述芳纶铸膜液中芳纶的浓度为0.01~0.5g/ml。

7.由权利要求1~6中任一项所述方法制备的芳纶导电薄膜，其包括芳纶薄膜基体，以及均匀分布于所述芳纶薄膜基体表面的银纳米线。

8.权利要求7所述的芳纶导电薄膜于建材、特种防护服装、复合材料或电子器件领域中的用途。