[发明专利]一种原子层沉积设备及沉积方法

权利要求书

1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括：

反应腔室，所述反应腔室内设置有多个可独立控制的加热器，所述加热器位于所述反应腔室的底部，所述加热器用于承载并加热待沉积薄膜的基板；

传输装置，设置在所述加热器之间，用于在所述加热器之间传输所述基板；

供气装置，与所述反应腔室连接，用于向所述反应腔室提供反应气体。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述加热器的数量与待沉积的薄膜的元素组成数量相同。

3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，还包括退火腔室，所述传输装置在所述反应腔室及所述退火腔室之间传输所述基板。

4.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述供气装置包括：

水平进气部，设置在所述反应腔室的顶部，位于所述反应腔室顶部的中间位置，所述水平进气部包括多个进气管，所述进气管的出气口位于所述反应腔室内，并且所述出气口垂直于所述反应腔室的轴线；

垂直进气部，设置在所述反应腔室的顶部，所述垂直进气部包括多个设置在所述反应腔室顶部的进气口，所述进气口平行于所述反应腔室的轴线。

5.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括：

反应腔室，所述反应腔室内设置有承载台，所述承载台位于所述反应腔室的底部，用于承载待沉积薄膜的基板；

供气装置，与所述反应腔室连接，用于向所述反应腔室提供反应气体，所述供气装置包括：

水平进气部，设置在所述反应腔室的顶部，位于所述反应腔室顶部的中间位置，所述水平进气部包括多个进气管，所述进气管的出气口位于所述反应腔室内，并且所述出气口垂直于所述反应腔室的轴线；

垂直进气部，设置在所述反应腔室的顶部，所述垂直进气部包括多个设置在所述反应腔室顶部的进气口，所述进气口平行于所述反应腔室的轴线。

6.根据权利要求5所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应腔室中设置有多个承载台，每一个所述承载台均为可独立控制的加热器，所述加热器用于承载并加热待沉积薄膜的基板。

7.根据权利要求6所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述加热器的数量与待沉积的薄膜的元素组成数量相同。

8.根据权利要求6所述的原子层沉积设备，其特征在于，还包括传输装置，所述传输装置设置在所述加热器之间，用于在所述加热器之间传输所述基板。

9.根据权利要求8所述的原子层沉积设备，其特征在于，还包括退火腔室，所述传输装置在所述反应腔室及所述退火腔室之间传输所述基板。

10.一种原子层沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：

将待沉积薄膜的基板置于反应腔室的第一加热器上；

调节所述第一加热器的温度，加热所述基板；

向所述反应腔室内通入第一反应气体，以在所述基板的表面形成第一原子层；

将所述基板置于所述反应腔室的第二加热器上；

调节所述第二加热器的温度，加热所述基板；

向所述反应腔室内通入第二反应气体，以在所述基板的表面形成第二原子层，所述第二原子层与所述第一原子层发生表面反应，形成晶体薄膜；

重复以上步骤直至形成所需厚度的晶体薄膜。

11.根据权利要求10所述的原子层沉积方法，其特征在于，向所述反应腔室内通入第二反应气体，以在所述基板的表面形成第二原子层之后，还包括以下步骤：

将所述基板置于所述反应腔室的第n加热器上；

调节所述第n加热器的温度，加热所述基板；

向所述反应腔室内通入第n反应气体，以在所述基板的表面形成第n原子层，所述第一原子层、第二原子层以及第n原子层发生表面反应，形成晶体薄膜，其中n为所述晶体薄膜的元素组成数量。