[发明专利]金属氧化物单晶生长用坩埚在审
| 申请号： | 202110135745.9 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113308735A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 干川圭吾;小林拓实;大塚美雄 | 申请（专利权）人： | 不二越机械工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00;C22C5/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 褚瑶杨;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 生长 坩埚 | ||
1.一种金属氧化物单晶生长用坩埚，其用于金属氧化物单晶生长，其中，所述坩埚的定径部的外周面上设置有增强用的带材。
2.如权利要求1所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，所述坩埚的上部的厚度比所述坩埚的下部的厚度形成得薄，所述坩埚的上部为所述定径部。
3.如权利要求1或2所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，所述坩埚上部的厚度为0.1mm～0.2mm、所述坩埚下部的厚度为0.15mm～0.3mm。
4.如权利要求1～3任一项所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，所述增强用的带材为沿所述坩埚的轴向延伸的带材，包括按恒定的间隔设置于所述坩埚的周向的两根以上的带材。
5.如权利要求1～4任一项所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，所述增强用的带材包括环状设置于所述定径部的外周面上的1根或两根以上的带材。
6.如权利要求5所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，环状的所述带材设置于所述定径部的上部外周。
7.如权利要求5或6所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，环状的所述带材设置于所述定径部的下部外周。
8.如权利要求1～7所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，所述增强用的带材被焊接、粘接、烧结或者压接于所述定径部的外周面上。
9.如权利要求5～7任一项所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，包括所述环状的带材的所述增强用的带材紧密接触安装在所述定径部的外周面上。
10.如权利要求1～9任一项所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，该坩埚为在氧化气氛中使用VB法用于氧化镓单晶生长的坩埚。
11.如权利要求10所述的金属氧化物单晶生长用坩埚，其中，该坩埚由铑的组成比例为10wt％～30wt％的Pt-Rh合金构成。
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