[发明专利]半导体装置的形成方法在审

申请号：	202110136219.4	申请日：	2021-02-01
公开（公告）号：	CN113130321A	公开（公告）日：	2021-07-16
发明（设计）人：	连建洲;林群能;叶明熙;陈玠玮;江子昂	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/8234
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	黄艳;郑特强
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体装置形成方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

半导体装置的形成方法包括：自半导体鳍状物上移除虚置栅极；沉积粘着层与填充金属层于半导体鳍状物上；以及以湿蚀刻溶液同时蚀刻粘着层与填充金属层，且湿蚀刻溶液蚀刻粘着层的速率大于蚀刻填充金属层的速率，并再成形填充金属。

技术领域

本发明实施例关于形成鳍状场效晶体管装置的方法，更特别关于形成鳍状场效晶体管装置的置换栅极的方法。

背景技术

由于多种电子构件如晶体管、二极管、电阻、电容器、或类似物的集成密度改善，半导体产业已经历快速成长。集成密度中的主要改善来自于重复缩小最小结构尺寸，其可整合更多构件至给定面积中。

鳍状场效晶体管装置广泛用于集成电路中。鳍状场效晶体管装置具有三维结构，其包含自基板凸起的半导体鳍状物。栅极结构设置为控制鳍状场效晶体管装置的导电通道中的电荷载子流，且可包覆半导体鳍状物。举例来说，在三栅极鳍状场效晶体管装置中，栅极结构包覆半导体鳍状物的三侧，以形成导电通道于半导体鳍状物的三侧上。

发明内容

在一实施例中，半导体装置的形成方法包括：自半导体鳍状物上移除虚置栅极；沉积粘着层与填充金属于半导体鳍状物上；以及以湿蚀刻溶液同时蚀刻粘着层与填充金属，且湿蚀刻溶液蚀刻粘着层的速率大于蚀刻填充金属层的速率，并再成形填充金属。

在一实施例中，半导体装置的形成方法包括：形成粘着层与填充金属层于半导体鳍状物上的第一间隔物与第二间隔物之间；以及施加湿蚀刻溶液至粘着层与填充金属层，湿蚀刻溶液对粘着层的蚀刻速率大于对填充金属层的蚀刻速率，且湿蚀刻溶液包括：胺类的蚀刻剂；氧化剂；以及氧化剂的稳定剂。

在一实施例中，半导体装置包括半导体鳍状物；多个第一间隔物，位于半导体鳍状物上；多个第二间隔物，位于半导体鳍状物上，且第二间隔物自半导体鳍状物延伸得比第一间隔物更远，其中第二间隔物所围绕的第二区位于第一间隔物与第二间隔物所围绕的第一区上；栅极介电层，位于第一区中；粘着层，位于第一区中的栅极介电层上，但不延伸至第二区中；以及填充金属层，位于第一区与第二区中，填充金属层自半导体鳍状物延伸得比第一间隔物更远，但自半导体鳍状物延伸得比第二间隔物更少。

附图说明

图1是一些实施例中，鳍状场效晶体管装置的透视图。

图2至图6、图7A、图7B、图7C、与图8至图20是一些实施例中，鳍状场效晶体管装置于多种制作阶段的剖视图。

图21是一些实施例中，鳍状场效晶体管装置的剖视图。

图22是一些实施例中，鳍状场效晶体管装置的剖视图。

图23是一些实施例中，形成半导体装置的方法的流程图。

符号说明

A-A,B-B,C-C：剖面

H1,H3：高度

H2：深度

H4：第四高度

W1,W2：宽度