[发明专利]一种多电极焊点的倒装LED芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110136650.9 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112768573A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 旷明胜;范凯平;何俊聪;唐恝 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/40;H01L33/62
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡枫;李素兰
地址: 528200 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电极 倒装 led 芯片 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种多电极焊点的倒装LED芯片及其制备方法,所述制备方法包括S1、在衬底上形成发光结构;S2、在发光结构上形成第二保护层;S3、对所述第二保护层进行刻蚀,形成多个电极孔洞;S4、采用钢网印刷的方法,将金属焊料填充在电极孔洞内,以形成电极;其中,所述金属焊料主要由Sn、Ag和Cu组成;S5、对电极进行阶梯保温,以获得成品。本发明的制备方法,成本低,工艺简单,所制得的倒装LED芯片与基板的焊接效果好。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种多电极焊点的倒装LED芯片及其制备方法。

背景技术

现有LED芯片电极的材料一般为Au、Pt、AuSn等成分,这些材料在LED芯片封装基板进行高温共晶时,会影响金属表面的界面活性,容易出现共晶空洞,从而导致LED芯片在大电流使用条件下存在电流注入不均匀、电压高等情况。为了解决LED芯片在高温共晶时产生的空洞,现有的方法是通过助焊剂来来增强电极金属表面的焊接性能,从而降低空洞率。但助焊剂等残留物在LED芯制成灯具使用时,会挥发形成挥发性有机物,影响灯具的使用寿命。

此外,现有LED芯片需要采用蒸镀或溅射的方法将Au、Pt、AuSn等金属沉积在发光结构上,以形成电极。而蒸镀或溅射的方法工艺时间长,成本高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于,提供一种多电极焊点的倒装LED芯片,成本低,与基板的焊接效果好。

本发明还要解决的技术问题在于,提供一种多电极焊点的倒装LED芯片的制备方法,成本低,工艺简单,所制得的倒装LED芯片与基板的焊接效果好。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种多电极焊点的倒装LED芯片的制备方法,包括:

S1、在衬底上形成发光结构;

S2、在发光结构上形成第二保护层;

S3、对所述第二保护层进行刻蚀,形成多个电极孔洞;

S4、采用钢网印刷的方法,将金属焊料填充在电极孔洞内,以形成电极;其中,所述金属焊料主要由Sn、Ag和Cu组成;

S5、对电极进行阶梯保温,以获得成品。

作为上述方案的改进,所述钢网印刷的方法包括:

S41、将设有与电极孔洞对应通孔的钢网放置在第二保护层上;

S42、采用刮刀将金属焊料填充到电极孔洞内;

其中,所述刮刀的移动速度为10~100mm/s,所述刮刀与钢网之间的倾斜角度为30°~60°。

作为上述方案的改进,所述金属焊料添加有助焊剂、活化剂、树脂和触变剂。

作为上述方案的改进,步骤S5中,所述阶梯保温包括预热阶段、恒温阶段、回流阶段和冷却阶段;其中,预热阶段的温度为80~160℃,恒温阶段的温度为100~200℃,回流阶段的温度为240~280℃,冷却阶段将温度降至75℃或以下。

作为上述方案的改进,冷却阶段的降温速率<7℃/S。

作为上述方案的改进,所述发光结构的制备方法包括:

S11、在衬底上形成外延层,所述外延层包括依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;

S12、对所述外延层进行刻蚀,形成多个凹孔和切割道;

S13、在外延层上依次形成透明导电层和金属反射层;

S14、在透明导电层、金属反射层以及裸露出来的外延层上形成第一保护层;

S15、对所述第一保护层进行刻蚀,形成金属孔洞;

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