[发明专利]半导体结构

说明书

半导体结构包括多个鳍状结构，沿着第一方向延伸；多个栅极结构部件，沿着第二方向延伸，第二方向正交于第一方向，其中栅极结构部件隔有多个虚置鳍状结构。半导体结构还包括导电层，位于栅极结构部件与虚置鳍状结构上，以电性连接至少一些栅极结构部件；以及切割结构，对准虚置鳍状结构的一者，以电性隔离虚置鳍状结构的一者的两侧上的栅极结构部件。

技术领域

本公开实施例涉及半导体装置与其制作方法，更特别是涉及制作场效晶体管如全绕式栅极场效晶体管或鳍状场效晶体管的方法。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路具有比前一代更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(单位晶片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作制程所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小通常有利于增加产能与降低相关成本。尺寸缩小易增加集成电路结构(如三维晶体管)与制程的复杂度。为实现这些进展，处理与制造集成电路的方法需要类似发展。举例来说，随着装置尺寸持续缩小，场效晶体管的装置效能(如与多种缺陷相关的装置效能劣化)与制作成本的挑战也越来越大。虽然解决这些挑战的方法通常适用，但仍无法完全满足所有方面的需求。

发明内容

在一例中，半导体结构包括：多个鳍状结构，沿着第一方向延伸；多个栅极结构部件，沿着第二方向延伸，第二方向正交于第一方向，其中栅极结构部件隔有多个虚置鳍状结构。半导体结构还包括导电层，位于栅极结构部件与虚置鳍状结构上，以电性连接至少一些栅极结构部件；以及切割结构，对准虚置鳍状结构的一者，以电性隔离虚置鳍状结构的一者的两侧上的栅极结构部件。

在一例中，半导体结构包括：沿着第一方向的第一栅极结构部件与一第二栅极结构部件，其隔有沿着第二方向延伸的第一虚置鳍状结构，且第二方向正交于第一方向；第三栅极结构部件，其与第二栅极结构部件隔有沿着第二方向延伸的第二虚置鳍状结构；导电层，连接第一栅极结构部件与第二栅极结构部件；以及切割结构，位于第二虚置鳍状结构上，并隔离第二栅极结构部件与第三栅极结构部件。

在一例中，半导体结构的形成方法包括：形成多个鳍状结构，其延伸于第一方向中；形成多个虚置鳍状结构于鳍状结构之间；形成栅极结构于鳍状结构上；使栅极结构凹陷以露出虚置鳍状结构的上表面，并沿着第二方向将栅极结构分成多个栅极结构部件，且第二方向正交于第一方向；沉积导电层于栅极结构部件与虚置鳍状结构上，且导电层电性连接栅极结构部件；以及形成切割结构于虚置鳍状结构的至少一者上，以电性隔离虚置鳍状结构的至少一者的两侧上的栅极结构部件。

附图说明

图1A、图1B、图1C、图1D、图1E、图1F、及图1G是依据此处所述的原理的一例中，形成栅极切割结构的例示性制程的视图。

图2是依据此处所述的原理的一例中，栅极切割结构的上视图。

图3是依据此处所述的原理的一例中，形成栅极切割结构的例示性方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

102：基板

104：浅沟槽隔离区

105：覆盖材料

106a，106b，106c，106d：鳍状结构

108：硬遮罩层

110，112：层状物

114a，114b，114c：虚置鳍状结构

116：介电材料

118：氧化物层

120：高介电常数的介电层

122：虚置栅极

124：金属材料