[发明专利]集成电路器件、存储器和电子设备

说明书

本发明的实施例提供了一种集成电路器件、存储器和电子设备，涉及半导体技术领域。该集成电路器件包括在衬底上阵列排布的多个开关晶体管以及设置于衬底上的连接结构；其中，衬底上划分有邻接的第一区域和第二区域，连接结构至少位于第一区域，且连接结构将第一区域内的开关晶体管的栅极与控制单元连接，控制单元可发送控制信号以使第一区域内的开关晶体管处于截止状态，以此截断第一区域流向第二区域的漏电流，避免了漏电流对第二区域中的器件的影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种集成电路器件、存储器和电子设备。

背景技术

随着集成电路器件尺寸的微缩，漏电流的影响变得越来越大。而对于集成电路器件来说，漏电流一旦进入工作区域，则会影响其正常工作。因此，如何消除漏电流的影响，是亟需解决的问题。

发明内容

基于上述研究，本发明提供了一种集成电路器件、存储器和电子设备，以改善上述问题。

第一方面，本发明提供一种集成电路器件，包括：在衬底上阵列排布的多个开关晶体管以及设置于所述衬底上的连接结构；

所述衬底上划分有邻接的第一区域和第二区域，所述连接结构至少位于所述第一区域，且所述连接结构将所述第一区域内的开关晶体管的栅极与控制单元连接，所述控制单元可发送控制信号以使所述第一区域内的开关晶体管处于截止状态。

在可选的实施方式中，所述连接结构包括第一金属层，所述第一金属层层叠设置于所述开关晶体管的栅极之上，分别与所述栅极以及所述控制单元连接；

所述开关晶体管通过所述第一金属层接收所述控制单元发送的控制信号，以使所述开关晶体管处于截止状态。

在可选的实施方式中，所述连接结构还包括第一连接层，所述第一连接层设置于所述开关晶体管的栅极与所述第一金属层之间，与所述栅极连接；

所述第一金属层通过所述第一连接层与所述开关晶体管的栅极连接。

在可选的实施方式中，所述连接结构还包括第二连接层，所述第二连接层设置于所述第一连接层与所述第一金属层之间，用于连通所述第一金属层与所述第一连接层。

在可选的实施方式中，所述连接结构还包括第二金属层；

所述第二金属层层叠设置于所述第一金属层之上，所述第一金属层通过所述第二金属层与所述控制单元连接。

在可选的实施方式中，所述连接结构还包括第三连接层，所述第三连接层设置于所述第一金属层与所述第二金属层之间，用于连通所述第一金属层与所述第二金属层。

在可选的实施方式中，所述第二金属层包括至少一条第一金属线以及至少一条第二金属线；

各所述第一金属线分别与所述第一金属层以及所述控制单元连接，所述开关晶体管通过所述第一金属层以及各所述第一金属线接收所述控制单元发送的控制信号；

各所述第二金属线分别与所述第二区域的工作器件以及所述控制单元连接，所述工作器件通过各所述第二金属线接收所述控制单元发送的工作信号，通过所述工作信号进行工作。

在可选的实施方式中，所述开关晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。

第二方面，本发明提供一种存储器，包括前述实施方式任一项所述的集成电路器件。

第三方面，本发明提供一种电子设备，包括前述实施方式所述的存储器。