[发明专利]一种强磁性取向高硅钢极薄带及其制备方法

权利要求书

1.一种强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其中所述强磁性取向高硅钢极薄带包含以下质量百分比的元素：C：0.0045%～0.0060%，Si：4.5%~5.0%，Mn：0.23%~0.32%，S：0.02%～0.03%，Bi：0.03%~0.08%，Als：0.027%~0.035%，Cu：0.02%～0.03%，N：0.008%~0.010%，P＜0.005%，其余为铁；

该方法具体包括以下步骤：

S1：按所述强磁性取向高硅钢极薄带中各元素的质量百分比准备原料，其中所述Cu、S和N元素以含硫氮和铜的多核配位化合物的方式准备，将除Bi元素及含硫氮和铜的多核配位化合物的以外的原料混合熔炼，待合金完全熔化后得到合金溶液，向所述合金溶液表面通入高纯氮气，同时加入含硫氮和铜的多核配位化合物，然后再加入Bi元素，制得硅铁母合金溶液；

S2：将所述硅铁母合金溶液温度控制在1100~1200℃，在持续流动的高纯氮气氛围中进行高速单辊甩带，控制辊的线速度为20~30m/s，制备出0.20~0.25mm厚的硅钢薄带；

S3：将所述硅钢薄带出辊后水冷至500~600℃，温轧至0.14~0.17mm，加热至850~1050℃后进行真空退火2~5min；再冷轧至 0.09~0.12mm，加热至1000~1150℃后进行纯氢气二次退火2~5min，再空冷至室温，涂覆退火隔离层后加热至950~1200℃后进行净化气体退火3~5min后，即得所述强磁性取向高硅钢极薄带。

2.根据权利要求1所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，S1中所述混合熔炼的温度为1300~1500℃。

3.根据权利要求1所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，所述真空退火前将完成温轧的所述硅钢极薄带以20~25℃/h的升温速度升温至所述退火温度。

4.根据权利要求1所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，所述纯氢气二次退火前将完成冷轧的所述硅钢极薄带以20~25℃/h的升温速度升温至所述退火温度。

5.根据权利要求1所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，所述净化气体退火前将涂敷退火隔离层的所述硅钢极薄带以35~40℃/h的升温速度升温至所述退火温度。

6.根据权利要求1所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，S3中所述退火隔离层为磷酸二氢铝、苯丙乳液、甘油和硅烷偶联剂的混合物；

所述混合物中各成分的质量百分含量为：磷酸二氢铝：10~15%，苯丙乳液：20~40%，甘油：25~35%，硅烷偶联剂：10~30%。