[发明专利]相变存储单元、相变存储器及电子设备

权利要求书

1.一种相变存储单元，其特征在于，所述相变存储单元包括：相变薄膜(1)；

所述相变薄膜(1)包括：多层相变材料层(101)和多层导电隔绝层(102)，所述相变材料层(101)与所述导电隔绝层(102)交替层叠；

所述相变材料层(101)采用相变材料形成，所述导电隔绝层(102)采用导电晶体材料形成；

所述相变材料与所述导电晶体材料的晶格失配度小于或等于10％，并且，所述相变材料的熔点小于所述导电晶体材料的熔点。

2.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变材料与所述导电晶体材料的晶格失配度小于或等于5％。

3.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变材料层(101)的厚度为1nm-10nm；

所述导电隔绝层(102)的厚度为1nm-10nm。

4.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变材料层(101)与所述导电隔绝层(102)交替层叠的循环周期为2-50。

5.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变材料为Ge-Te二元化合物、Sb_xTe_1-x(0.8x≤1)、Bi-Te二元化合物、或者Ge-Sb-Te三元化合物；

所述导电晶体材料为ScTe、Sc₂Te₃、PtTe₂、Pt₂Te₃、PdTe₂、MoTe₂、Cr₂Te₃、SiTe₂、Si₂Te₃、NiTe₂、或者CuTe₂。

6.根据权利要求1-5任一项所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变存储单元还包括：衬底(2)、底电极(31)、顶电极(32)、绝缘隔热层(4)；

所述底电极(31)位于所述衬底(2)的表面；

所述相变薄膜(1)连接于所述底电极(31)和所述顶电极(32)之间；

所述绝缘隔热层(4)包覆于所述相变薄膜(1)的侧部。

7.根据权利要求6所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变存储单元为限制型结构；

所述顶电极(32)、所述相变薄膜(1)、所述底电极(31)、所述衬底(2)顺次接触。

8.根据权利要求6所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变存储单元为限制型结构；

所述相变存储单元还包括：加热电极(5)；

所述顶电极(32)、所述相变薄膜(1)、所述加热电极(5)、所述底电极(31)、所述衬底(2)顺次接触。

9.根据权利要求6所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变存储单元为T型结构；

所述衬底(2)上具有通孔(201)，所述底电极(31)位于所述通孔(201)内；

所述顶电极(32)、所述相变薄膜(1)、所述衬底(2)顺次接触，并且，所述相变薄膜(1)还与所述底电极(31)连接。

10.一种相变存储器，其特征在于，所述相变存储器包括多个权利要求1-9任一项所述的相变存储单元。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括处理器及权利要求10所述的相变存储器，所述相变存储器用于存储所述处理器所访问的数据。