[发明专利]一种多波长半导体激光器在审

专利信息
申请号: 202110137946.2 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112886386A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 宋健;卢昆忠;胡慧璇;王文娟;闫大鹏 申请(专利权)人: 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
主分类号: H01S5/06 分类号: H01S5/06;H01S5/40;H01S5/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 陈新生
地址: 430000 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 波长 半导体激光器
【说明书】:

发明提供一种多波长半导体激光器,包括光纤输出机构、光路调节机构和多个不同波长的光纤发射机构;所述光路调节机构的入射端同时对准全部所述光纤发射机构,所述光路调节机构的出射端对准所述光纤输出机构,以使光路调节机构同时将全部或部分光纤发射机构发射的激光在同一光纤输出机构中完成会聚并输出。本发明提供的多波长半导体激光器,设有多个不同波长的光纤发射机构,通过将全部光纤发射机构通过同一光路调节机构传输至光纤输出机构中,使光路调节机构同时将全部或部分光纤发射机构发射的激光在同一光纤输出机构中完成会聚并输出,能够在泵浦源输出光光束质量不变的条件下,增加总泵浦光的输出功率,有效提升半导体激光器的输出功率。

技术领域

本发明涉及半导体激光器领域,尤其涉及一种多波长半导体激光器。

背景技术

半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带之间,或者半导体物质的能带与杂质能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。

目前以Nd:YVO4(Nd-doped yttrium vanadate,掺钕钒酸钇)晶体为工作物质的固体激光器一般使用波长为808nm、878nm或888nm半导体激光器作为泵浦源,随着固体激光器的功率提升,泵浦光功率的需求也在逐渐上升。单波长多单管半导体激光器的输出功率上限有限,无法满足固体激光器泵浦光日益提升的需求。

发明内容

本发明实施例提供一种多波长半导体激光器,用以解决现有固体激光器输出功率上限较低的问题。

本发明实施例提供一种多波长半导体激光器,包括:

光纤输出机构、光路调节机构和多个不同波长的光纤发射机构;

所述光路调节机构的入射端同时对准全部所述光纤发射机构,所述光路调节机构的出射端对准所述光纤输出机构,以使所述光路调节机构同时将全部或部分所述光纤发射机构发射的激光在同一所述光纤输出机构中完成会聚并输出。

根据本发明一个实施例的多波长半导体激光器,每个所述光纤发射机构均包括:多个依次排列的光纤发射组件;每个所述光纤发射组件均包括:沿光路方向依次设置的激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜;所述慢轴准直透镜的出射端对准所述光路调节机构。

根据本发明一个实施例的多波长半导体激光器,每个所述光纤发射组件还包括:第一反射镜;各所述光纤发射组件中的所述激光芯片依次呈阶梯排列,所述第一反射镜安装在对应的所述慢轴准直透镜和所述光路调节机构之间的光路中。

根据本发明一个实施例的多波长半导体激光器,所述光路调节机构包括:沿光路依次安装的第二反射镜和若干二向色镜;

所述第二反射镜的入射端对准其中一所述光纤发射组件中的全部所述第一反射镜;每个所述二向色镜的入射端与其对应地所述光纤发射组件中的全部所述第一反射镜对应;最末尾的所述二向色镜的出射端与所述光纤输出机构对准。

根据本发明一个实施例的多波长半导体激光器,所述光纤输出机构包括:沿光路方向依次设置的准直透镜和输出光纤。

根据本发明一个实施例的多波长半导体激光器,所述光纤发射机构的数量为两个,分别为第一光纤发射机构和第二光纤发射机构。

根据本发明一个实施例的多波长半导体激光器,所述第一光纤发射机构的所述光纤发射组件使用808nm波长的所述激光芯片;所述第二光纤发射机构的所述光纤发射组件使用888nm波长的所述激光芯片。

根据本发明一个实施例的多波长半导体激光器,所述光纤发射机构的数量为三个,分别为第一光纤发射机构、第二光纤发射机构和第三光纤发射机构。

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