[发明专利]烃源岩有机碳含量的确定方法、装置、介质及设备

说明书

本发明公开了烃源岩有机碳含量的确定方法、装置、介质及设备，该方法包括：获取已知Toc(有机碳)含量的非均质性地层烃源岩样品的沉积环境；基于沉积环境，建立非均质性地层烃源岩样品的铀元素含量与Toc含量的拟合关系；基于铀元素含量与Toc含量的拟合关系和未知Toc含量的非均质性地层烃源岩样品的铀元素含量，计算未知Toc含量的非均质性地层烃源岩样品的Toc含量。本发明非均质性地层烃源岩有机碳含量的确定方法基于沉积环境，建立非均质性地层烃源岩样品的铀元素含量与Toc含量的拟合关系，通过铀元素含量即可获得Toc含量，针对非均值性强的地层岩性组合特征下获取准确的TOC含量。

技术领域

本发明属于石油勘探开发领域，具体涉及一种非均质性地层烃源岩有机碳含量的确定方法、装置、介质及设备。

背景技术

在利用成因法进行油气地质资源量计算过程中，某一地层单元内的烃源岩有机碳(Toc)是重要的一个参数。对于层状、均质性地层，现阶段主要依据测试分析资料进行烃源岩有机碳；对于测试分析数据较少的情况，则通过测井参数-有机碳相关关系进行评价。

在利用测井曲线计算有机碳最常规的方法是△lgR技术，以及有此技术所衍生中的其它公式等。△lgR技术是埃克森Exxon和埃索ESSo公司1979年开发的一种烃源岩有机碳测井预测技术，常用的公式是：

△lgR＝lg(R/R_基)+K×(△t-△t_基) (1)

TOC＝△lgR×10^{1.5374-0.944Ro}+△TOC_背景 (2)

式中

TOC—总有机碳含量；

R—实测电阻率，Ω×m；

R_基、△t基—基线电阻率和声波时差；

K—每一个声波时差刻度对应的电阻率值；

△TOC_背景—区域背景校正值。

其理论依据是烃源岩特征在孔隙度测井和电阻率测井上的响应原理，即烃源岩有机质含量越高，声波时差、电阻率就越大。

但是这种技术存在的问题有：(1)其理论依据有一定使用限制。其理论依据是烃源岩特征在孔隙度测井和电阻率测井上的响应原理，即烃源岩有机质含量越高，声波时差、电阻率就越大。在比如在泥灰岩地层中，高阻的灰质含量高，有机碳反而低；(2)TOC背景值的确定，有很大人为性，这个值往往存在很大误差；(3)该模型基本出发点是从层状泥质烃源岩的测井相应特征出发，在层状沉积下，各个测井响应参数相对变化幅度不大，但在非均质性的烃源岩条件下，比如泥灰岩地层，因声波时差，TOC背景、电阻变化幅度大，难以准确进行相关参数的确定。

TOC的高低，从地质成因或者地质背景上讲，是烃源岩的沉积环境决定的，△lgR技术各项测井响应参数与沉积环境之间没有必然联系。

综上，目前没有针对非均值性强的地层岩性组合特征下TOC含量的综合评价。

发明内容

本发明的目的是提出一种针对非均值性强的地层岩性组合特征下TOC含量的综合评价。

第一方面，本发明提供一种非均质性地层烃源岩有机碳含量的确定方法，包括：获取已知Toc含量的非均质性地层烃源岩样品的沉积环境；基于所述沉积环境，建立所述非均质性地层烃源岩样品的铀元素含量与Toc含量的拟合关系；基于所述铀元素含量与Toc含量的拟合关系和未知Toc含量的非均质性地层烃源岩样品的铀元素含量，计算所述未知Toc含量的非均质性地层烃源岩样品的Toc含量。