[发明专利]用于良率分析和物理故障分析的先进单元感知故障模型

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在与半导体芯片设计相关联的网表内识别一或多个晶体管特性；

接收针对所述半导体芯片设计的单元的一或多个故障测试模型的结果，所述结果是至少部分地基于提供到由所述一或多个故障测试模型指定的所述半导体芯片设计的所述单元的输入引脚的输入在所述半导体芯片设计的所述单元的一或多个输出引脚处生成的，且其中至少部分地基于与所述半导体芯片设计相关联的所述网表内的所述一或多个晶体管特性执行所述一或多个故障测试模型；

至少部分地基于所述一或多个故障测试模型的所述结果使检测到的一或多个故障与所述网表内的一或多个晶体管特性相关以识别所述半导体芯片设计内的一或多个有故障的晶体管；以及

由处理器提供识别所述半导体芯片设计内的所述一或多个有故障的晶体管的用户界面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中识别一或多个晶体管特性包括：

接收所关注的晶体管特性的用户输入；

在与所述半导体芯片设计相关联的所述网表内识别所关注的所述晶体管特性；以及

从与所述半导体芯片设计相关联的所述网表提取所关注的所述晶体管特性。

3.根据权利要求1所述的方法，其中提供用户界面包括：在图形显示内提供识别所述半导体芯片设计的所述单元内的一或多个故障的位置的数据，所述图形显示将所述一或多个故障的所述位置覆叠到单元布局上。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

生成至少一个用户界面，所述至少一个用户界面唯一地识别至少一个晶体管和所述网表内识别的所述至少一个晶体管的一或多个晶体管特性，其中唯一地识别所述至少一个晶体管的所述用户界面包括从所述网表提取的唯一地识别所述至少一个晶体管的数据和从所述网表提取的识别所述一或多个晶体管特性的数据。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使检测到的一或多个故障与所述网表内的一或多个晶体管特性相关包括在识别所述半导体芯片设计的所述单元的预期输出的数据结构内查找所述半导体芯片设计的所述单元的所述一或多个输出引脚处生成的结果。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在与半导体芯片设计相关联的网表内识别一或多个晶体管特性包括：

在所述半导体芯片设计内识别库单元；以及

从存储器存储区域检索所述库单元的一或多个晶体管特性。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将所述一或多个有故障的晶体管的一或多个晶体管特性与从与所述半导体芯片设计相关联的所述网表提取的其它晶体管的一或多个晶体管特性进行比较；

确定所述一或多个有故障的晶体管的所述晶体管特性中的一或多个是否与所述其它晶体管中的至少一个的所述晶体管特性中的一或多个匹配；

在确定所述一或多个有故障的晶体管的所述晶体管特性中的至少一个与所述其它晶体管中的所述至少一个的所述晶体管特性中的至少一个匹配后，确定针对所述一或多个有故障的晶体管检测到的一或多个故障是否与所述其它晶体管中的所述至少一个共享；以及

在确定所述一或多个故障中的至少一个与所述其它晶体管中的至少一个共享后，在所述用户界面内将所述其它晶体管中的所述至少一个识别为有故障的晶体管。