[发明专利]一种串联背靠背开关管的关断电路与方法有效

专利信息
申请号: 202110138930.3 申请日: 2021-02-02
公开(公告)号: CN112511146B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 濮正林 申请(专利权)人: 上海南芯半导体科技有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H03K17/081
代理公司: 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 代理人: 王育信
地址: 200120 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 串联 背靠背 开关 断电 方法
【权利要求书】:

1.一种串联背靠背开关管的关断电路,包括背靠背共源极相连的NMOS管N1、N2,其中NMOS管N1的漏极连接信号输入端IN,NMOS管N2的漏极作为信号输出端OUT,其特征在于,还包括背靠背共源极相连后与NMOS管N1、N2相连的NMOS管M1、M2,源极与NMOS管M1、M2的共源极端相连的PMOS管M3, 栅极与PMOS管M3的栅极相连且源极与NMOS管M1、M2的共栅极相连的PMOS管M4,漏极与PMOS管M3的漏极相连且源极接地的NMOS管M5,以及漏极与PMOS管M4的漏极相连且源极接地的NMOS管M6;其中,NMOS管M1的漏极连接信号输入端IN,NMOS管M2的漏极连接信号输出端OUT,PMOS管M3的栅极与源极相连,NMOS管M5、M6栅极相连且用于接收关断信号OFF。

2.一种串联背靠背开关管的关断方法,其特征在于,采用了如权利要求1所述的关断电路,包括如下步骤:

(S1)串联背靠背NMOS管 M1和M2的共源极拟合出外置背靠背NMOS管N1、N2的共源极CS电压;

(S2)输入的关断信号OFF为高时,作为下拉管的NMOS管M5和M6打开;

(S3)PMOS管M3在拟合CS电压的基础上为PMOS管M4提供栅极偏置,外置背靠背NMOS管N1、N2的共栅极GATE通过M4、M6下拉,最终GATE被下拉钳位至拟合CS电压,实现外置背靠背NMOS管N1、N2的关断。

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