[发明专利]一种β平面源制备方法和一种β平面源

说明书

本发明公开了一种β平面源制备方法和一种β平面源。制备方法包括：对金属托片进行氧化处理，形成氧化膜；使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜，令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞；使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，阻止所述放射性金属离子渗出。本申请将金属托片氧化形成氧化膜，利用氧化膜填充放射性料液的方式实现放射性料液的吸附，并且，采用含硅凝胶封闭金属托片的氧化膜孔洞，从而阻止放射性金属离子泄漏，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长。

技术领域

本发明涉及放射平面源技术领域，特别涉及一种β平面源制备方法和一种β平面源。

背景技术

β放射源射程短，又由于自吸收和支撑物吸收，导致β粒子不能到达探测器，从而影响探测效率。目前制作β放射源有电镀法。电镀法是根据β粒子发射体的金属离子的电极电位，将含β粒子发射体的金属离子电镀于电极表面，该方法存在弱电解质不易电镀，条件要求苛刻，工艺较为复杂的问题。同时，现有制备的β放射源β粒子发射体吸附不牢固，容易造成放射源效果变差。

发明内容

鉴于现有技术β放射源制备问题，提出了本申请的一种β平面源制备方法和一种β平面源，以便克服上述问题。

为了实现上述目的，本申请采用了如下技术方案：

依据本申请的一个方面，提供了一种β平面源制备方法，该方法包括：

对金属托片进行氧化处理，形成氧化膜；

使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜，令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞；

使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，阻止所述放射性金属离子渗出。

可选地，所述金属托片为铝托片，对所述铝托片进行氧化处理，包括：

通过阳极氧化法氧化所述铝托片，阳极氧化法使用的电解液包括去离子水，以及体积分数为15-25％的硫酸和体积分数为20-25％的乙醇，电流设置为15-20A/m²，氧化时间控制在2-4min。

可选地，所述方法还包括：

在氧化所述铝托片之前，电化学抛光处理所述铝托片，所用电化学抛光液由乙醇和高氯酸组成，乙醇和高氯酸的体积比为6：1-4：1，电压设置为19-21V，电流密度为1～1.2A/m²，温度为8-12℃，将所述铝托片作为阳极，抛光时间为2-4min。

可选地，在阳极氧化所述铝托片的过程中，连接电源正极的电极为金属托片电极，所述金属托片电极与所述铝托片保持平行。

可选地，所述含硅凝胶通过如下过程配置：

将TEOS与去离子水按摩尔比为1：1混合后，在50-70℃的温度下搅拌反应10-14h，冷却至室温后备用。

可选地，所述使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，包括：

将氧化后的所述铝托片置于冷却至室温的含硅凝胶中，浸泡2-4小时后取出，进行表面清洁后烘干。

可选地，所述放射性料液中包含pH缓冲对，所述pH缓冲对调节所述放射性料液的pH值为6-8。

可选地，根据所述金属托片的氧化膜面积，调节所述pH缓冲对的添加量，所述pH缓冲对为碱金属磷酸一氢盐和碱金属磷酸二氢盐。

可选地，使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜时，根据所制备β平面源的粒子数选择对应活度的放射性料液。

依据本申请的另一个方面，提供了一种β平面源，该β平面源通过如上任一项所述方法制备。

综上所述，本申请的有益效果是：