[发明专利]实现掉电自恢复记忆功能的电路及其控制方法有效
申请号: | 202110139693.2 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN112929013B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 刘金凤;梅吉超 | 申请(专利权)人: | 四川爱创科技有限公司;四川长虹精密电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/24 | 分类号: | H03K17/24 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 吴中伟 |
地址: | 621000 四川省绵阳市安州*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实现 掉电 恢复 记忆 功能 电路 及其 控制 方法 | ||
1.实现掉电自恢复记忆功能的电路,其特征在于,包括交流侧掉电检测单元、延时掉电单元、控制处理单元和数据存储单元;所述交流侧掉电检测单元和控制处理单元连接,延时掉电单元分别与控制处理单元和数据存储单元连接,控制处理单元和数据存储单元相连;所述交流侧掉电检测单元用于检测交流电check信号,所述延时掉电单元用于交流电掉电后持续给控制处理单元和数据存储单元供电,所述控制处理单元根据check信号判断交流电是否掉电,控制处理单元根据check信号判断交流电是否掉电的方式包括check信号的频率范围是否在预设范围内、check信号为高电平的持续时间是否超过预设值和check信号为低电平的时间是否超过预设值,如果check信号的频率在设定的范围内,则控制处理单元正常工作,否则判断check信号电平是否为高电平,当check信号为高电平的时间T超过预设值T1,则控制处理单元启动掉电保护程序,内存数据打包存到数据存储单元,进入待机状态,当check信号为低电平的时间T超过预设值T2,控制处理单元启动电路故障报警程序;当再次上电时,控制处理单元读取数据存储单元中的数据,恢复掉电前的状态。
2.实现掉电自恢复记忆功能的方法,应用于权利要求1所述的实现掉电自恢复记忆功能的电路,其特征在于,包括以下步骤:
S01、设定控制处理单元的信号采集端采集的check信号的频率为F和频率范围F1≤F≤F2;
S02、控制处理单元的信号采集端采集check信号;
S03、控制处理单元判断check信号的频率F是否在设定的范围F1≤F≤F2内,如果check信号的频率在设定的范围内,则控制处理单元正常工作,否则判断check信号电平是否为高电平;
S04、如果check信号为高电平,则判断check信号为高电平的时间T是否超过预设值T1:
当check信号为高电平的时间T超过预设值T1,则控制处理单元启动掉电保护程序,内存数据打包存到数据存储单元,进入待机状态;
如果check信号为低电平,则判断check信号为低电平的时间T是否超过预设值T2:
当check信号为低电平的时间T超过预设值T2,控制处理单元启动电路故障报警程序;
S05、再次上电后控制处理单元从数据存储单元中读取数据,恢复掉电前的状态。
3.根据权利要求2所述的实现掉电自恢复记忆功能的方法,其特征在于,步骤S04中,所述掉电保护程序包括关闭中断功能和关闭通用输入输出口上下拉功能。
4.根据权利要求2所述的实现掉电自恢复记忆功能的方法,其特征在于,步骤S04中,所述电路故障报警程序包括预警指示灯闪烁或者蜂鸣器鸣叫。
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