[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板，包括基板；导电遮光层，设于所述基板上；缓冲层，设于所述基板上且覆盖所述导电遮光层，所述缓冲层具有一第一槽孔，所述第一槽孔从所述缓冲层远离所述基板的一面贯穿至所述导电遮光层的表面；有源层，设于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内，所述有源层通过所述第一槽孔与所述导电遮光层连接。通过第一槽孔将所述源极与所述有源层、所述导电遮光层相互连接，有利于提升所述源极与所述有源层、所述导电遮光层连接的稳定性，使得所述源极与所述有源层、所述导电遮光层在通电时保持在同一电位上，有效提升薄膜晶体管(TFT)的工作稳定性，且保证所述导电遮光层对所述有源层的遮光效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

目前，在自对准顶栅结构(Top gate)中，由于金属氧化物半导体对光照比较敏感，因此金属氧化物半导体受到光线照射后，金属氧化物半导体薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)的阈值电压明显负漂现象。

为解决以上问题，现有一种改进的方法是：通过在金属氧化物半导体材料的有源层下方设置金属遮光层，以消除光照引起的薄膜晶体管阈值电压负漂现象。但是，金属遮光层也会产生一些不好的影响，例如浮栅效应。其中，所述浮栅效应指的是：由于金属遮光层对应设置于有源层下方，因此其相当于一个底栅极存在。虽然金属遮光层在薄膜晶体管结构中不与其它带电结构层相连，但是其容易受到其它带电结构层上的电压影响，从而携带上各种电压。由于金属遮光层具有变化不定的电压，因此，薄膜晶体管在工作时其阈值电压会不断变化，导致薄膜晶体管工作不稳定。

目前的解决方案是通过将遮光层连接至源极，使所述遮光层上产生稳定的电压，避免产生浮栅效应，从而有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法，以解决遮光层的电压不问题，容易产生浮栅效应，影响薄膜晶体管工作的稳定性的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括：基板；导电遮光层，设于所述基板上；缓冲层，设于所述基板上且覆盖所述导电遮光层，所述缓冲层具有一第一槽孔，所述第一槽孔从所述缓冲层远离所述基板的一面贯穿至所述导电遮光层的表面；有源层，设于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内，所述有源层通过所述第一槽孔与所述导电遮光层连接。

进一步地，所述的阵列基板还包括：栅极绝缘层，设于所述有源层上且正对于所述导电遮光层；栅极，设于所述栅极绝缘层上；介电层，设于所述缓冲层上且覆盖所述栅极，所述介电层具有贯穿至所述有源层表面的第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接孔和所述第二连接孔分别位于所述栅极的两侧；漏极，设于所述介电层上且通过所述第一连接孔延伸并连接至所述有源层；源极，设于所述介电层上且通过所述第二连接孔延伸并连接至所述有源层。

进一步地，拟定所述导电遮光层在所述基板的表面具有第一正向投影，所述有源层在所述基板的表面具有第二正向投影，所述第二正向投影完全落入所述第一正向投影中。

进一步地，拟定所述漏极在所述基板的表面具有第三正向投影，所述第三正向投影完全落入所述第一正向投影中。

进一步地，所述的阵列基板还包括功能层，设于所述介电层上且覆盖所述源极和所述漏极，所述功能层中具有贯穿至所述漏极表面的第二槽孔，所述第二槽孔的位置与所述第一槽孔的位置相对应。

进一步地，所述第二槽孔的开口尺寸与所述第一槽孔的开口尺寸一致。

为实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：提供一基板；形成一导电遮光层于所述基板上；形成一缓冲层于所述导电遮光层上且延伸至所述基板表面；对所述缓冲层进行挖孔处理，形成一第一槽孔，所述第一槽孔从所述缓冲层远离所述基板的一面贯穿至所述导电遮光层的表面；形成一有源层于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内，其中所述有源层通过所述第一槽孔与所述导电遮光层连接。