[发明专利]存储器装置

说明书

本发明公开了一种存储器装置，该存储器装置包括一源极元件、一漏极元件、多个通道层、多个控制电极层与一存储层。通道层独立电性连接在源极元件与漏极元件之间。多个存储单元定义在控制电极层与通道层之间的存储层中。

技术领域

本发明属于存储技术领域，涉及一种存储器装置。

背景技术

近年来，半导体装置的尺寸已逐渐缩小。在半导体技术中，特征尺寸的缩小、速度、性能、密度与每单位集成电路的成本的改进皆为相当重要的目标。

发明内容

本发明有关于一种存储器装置，可具有优良的操作效能。

根据本发明的一方面，提出一种存储器装置，其包括一源极元件、一漏极元件、多个通道层、多个控制电极层与一存储层。通道层独立电性连接在源极元件与漏极元件之间。多个存储单元定义在控制电极层与通道层之间的存储层中。

根据本发明的另一方面，提出一种存储器装置，其包括一通道元件、多个控制电极层与一存储层。通道元件包括电性连接的多个较厚通道部与多个较薄通道部。多个存储单元定义在较厚通道部与控制电极层之间的存储层中。

根据本发明的又一方面，提出一种存储器装置，其包括多个控制电极层、多个通道层与一存储层。通道层在一第一方向上与控制电极层交错配置并重叠。多个存储单元定义在控制电极层与通道层之间的存储层中。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1A绘示一实施例的存储器装置的剖面图。

图1B绘示一实施例的存储器装置的立体图。

图1C绘示一实施例的存储器装置的剖面图。

图1D绘示实施例的存储器装置的源极元件、漏极元件与通道层。

图2A绘示一实施例的存储器装置的剖面图。

图2B绘示一实施例的存储器装置的立体图。

图2C绘示一实施例的存储器装置的剖面图。

图2D绘示实施例的存储器装置的源极元件、漏极元件与通道元件。

图3A至图9C绘示一实施例中的存储器装置的制造方法。

图10A至图13绘示另一实施例中的存储器装置的制造方法。

图14绘示比较例的存储器装置。

【符号说明】

100：控制电极层

110：干部电极

111：第一电极表面

120：第一支部电极

122：第二电极表面

124：第四电极表面

130：第二支部电极

133：第三电极表面

135：第五电极表面

200：绝缘层

300：基底

400：通道层

401：第一通道表面

402：第二通道表面

403：第三通道表面

404：通道表面

460：通道元件