[发明专利]一种PVK-TMDCs范德华异质结及其制备方法有效
| 申请号： | 202110140994.7 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112909126B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 黄寒;邵子依;郭晓;肖君婷;游思雯 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0352;H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵晓琳 |
| 地址： | 410083 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pvk tmdcs 范德华异质结 及其 制备 方法 | ||
1.一种PVK-TMDCs范德华异质结的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜；
(2)采用物理气相沉积法在所述步骤(1)得到的过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，得到PVK-TMDCs范德华异质结；
所述步骤(1)中基底包括Si层和SiO2层，所述Si层为P型重掺杂的Si层，所述SiO2层的厚度为100～500nm；
所述步骤(1)中过渡金属硫族化合物薄膜的材质为WS2；
所述过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法包括以下步骤：
在惰性气体氛围中，将过渡金属氧化物加热至700～800℃，将硫族元素单质加热至200～300℃，进行沉积，得到过渡金属硫族化合物薄膜；
所述过渡金属氧化物和硫族元素单质的质量比为1：(25～30)；
所述过渡金属氧化物的加热方式为先升温至300℃，保温10～20min，然后升温至700～800℃，保温10～20min，所述升温的速率为10～20℃/min；
所述硫族元素单质的加热方式为：当过渡金属氧化物的温度达到600～650℃时，以20～30℃/min的速率升温至200～300℃，所述过渡金属氧化物和硫族元素单质同时达到各自的目标温度；
所述过渡金属氧化物为WO3；
所述惰性气体氛围为氮气、氩气或氦气，所述惰性气体的流速为20～50cm3/min；
所述步骤(2)中钙钛矿薄膜的材质为MAPbX3或CsPbX3，所述MAPbX3和CsPbX3中的X独立地为I、Br或Cl。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)在真空环境下进行，所述真空环境的真空度为10-7～10-8mbar。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中物理气相沉积法为顺序蒸发法或共蒸法。
4.权利要求1～3任意一项所述制备方法制备的PVK-TMDCs范德华异质结。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110140994.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种设有快速冷却机构的红外测温仪
- 下一篇：一种查尔酮衍生物及其用途
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
