[发明专利]一种基于量子点的MicroLED彩膜基板在审
申请号: | 202110141224.4 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN112951871A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 肖志宏 | 申请(专利权)人: | 钠泽新材料科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市张家港市金*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 量子 microled 彩膜基板 | ||
本发明公开了一种基于量子点的microLED彩膜基板,涉及microLED技术领域。包括玻璃基板,所述玻璃基板的顶部设置有彩色滤色层,且彩色滤色层的顶部设置有量子点膜层单元,所述量子点膜层单元包括位于彩色滤色层上方的基色层、配色层和显色层,所述基色层、配色层和显色层包括多个阵列排列的子像素色块。本发明通过黑色矩阵将基色层、配色层、显色层以同水平以阵列的方式进行分隔,基色层、配色层、显色层中的红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素相互对应,结合基色层、配色层、显色层垂直方向上红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素的相互对应阵列的相互对应,使组成的竖向方向的像素再组合调配后,实现光的扩散和叠加,提高光源利用率。
技术领域
本发明涉及microLED技术领域,具体为一种基于量子点的microLED彩膜基板。
背景技术
Micro LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,可看成是户外LED显示屏的微缩版,将像素点距离从毫米级降低至微米级。
量子点是在把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构,通过对这种纳米半导体材料施加一定的电场或光压,它们便会发出特定频率的光,而发出的光的频率会随着这种半导体的尺寸的改变而变化,因而通过调节这种纳米半导体的尺寸就可以控制其发出的光的颜色,将量子点与Micro LED 技术相结合,使其显色性更好。
但是在现有的量子点膜的生产过程中,使位于衬底基板上的电子点层边缘的吸光能力弱于中间区域,使发散的红、蓝、绿像素比例失衡,在彩膜基板的结构中,将红、蓝、绿像素以阵列排列,使形成阵列的子像素不均匀,使其光的显示度不好。
发明内容
本发明的目的在于:为了解决现有的量子点膜的生产过程中,使位于衬底基板上的电子点层边缘的吸光能力弱于中间区域,使发散的红、蓝、绿像素比例失衡,在彩膜基板的结构中,将红、蓝、绿像素以阵列排列,使形成阵列的子像素不均匀,使其光的显示度不好的问题,提供一种基于量子点的 microLED彩膜基板。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种基于量子点的microLED 彩膜基板,包括玻璃基板,所述玻璃基板的顶部设置有彩色滤色层,且彩色滤色层的顶部设置有量子点膜层单元,所述量子点膜层单元包括位于彩色滤色层上方的基色层、配色层和显色层,所述基色层、配色层和显色层包括多个阵列排列的子像素色块,且多个子像素色块通过黑色矩阵隔开,所述子像素色块包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素,所述显色层的顶部设置有封装层,所述彩色滤色层顶部的边缘设置有调色块,且调色块的边缘处设置有连接槽,所述调色块顶部的一侧固定有固定块,所述基色层、配色层和显色层包括主显区、第一边显区和第二边显区。
优选地,所述第一边显区和第二边显区位置的蓝色子像素的高度大于主显区的位置形成间隙区。
优选地,所述基色层、配色层和显色层在黑色矩阵中以3*3的形式隔开,且基色层、配色层和显色层内侧的红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素在水平位置和垂直位置相互对应。
优选地,所述红色子像素的边缘处形成有与连接槽相配合的矩阵贴口。
优选地,所述固定块的内侧形成有与矩阵贴口相互密封的缺口。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明通过设置黑色矩阵将基色层、配色层、显色层以同水平以阵列的方式进行分隔,基色层、配色层、显色层中的红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素的相互对应,可以产生不同波长的光,从而对应不同水平像素上的颜色,结合基色层、配色层、显色层垂直方向上红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素的相互对应阵列的相互对应,使组成的竖向方向的像素再组合调配后,实现光的扩散和叠加,实现彩色效果,提高光源利用率;
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的