[发明专利]MEMS线性加速度计和形成方法

权利要求书

1.一种MEMS加速度计，其特征在于，所述MEMS加速度计包括：

检验质量块（1），包括第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，并且所述第一侧和所述第二侧相对，所述第三侧和所述第四侧相对，

隧道尖端（2），包括第一尖端、第二尖端、第三尖端和第四尖端，所述第一尖端、第二尖端、第三尖端和第四尖端一一对应设于所述第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，且在所述检验质量块（1）的四侧中的至少一侧，所述隧道尖端（2）对应设有至少两个，

驱动梳（3），包括相互交叉形成叉指结构的可移驱动梳齿（31）和固定驱动梳齿（32），所述驱动梳（3）包括第一驱动梳、第二驱动梳、第三驱动梳和第四驱动梳，所述第一驱动梳、第二驱动梳、第三驱动梳和第四驱动梳一一对应设于所述第一侧、第二侧、第三侧和第四侧；

在所述检验质量块（1）与所述第一尖端的间隙超出能够产生隧道电流的距离范围的情况下，在与所述第一驱动梳相对应的所述固定驱动梳齿（32）上施加直流偏置电压，在所述检验质量块（1）与所述第三尖端的间隙超出能够产生隧道电流的距离范围的情况下，在与所述第三驱动梳相对应的所述固定驱动梳齿（32）上施加直流偏置电压，以驱动所述检验质量块（1）向位于所述检验质量块（1）的直流偏置电压施加侧的所述隧道尖端（2）偏移。

2.如权利要求1所述的MEMS加速度计，其特征在于，所述隧道尖端（2）设为四对，一一对应设于所述检验质量块（1）的四侧，所述驱动梳（3）设为四个，一一对应设于各对所述隧道尖端（2）的两个所述隧道尖端（2）之间。

3.如权利要求1所述的MEMS加速度计，其特征在于，所述可移驱动梳齿（31）连接在所述检验质量块（1）上，且所述检验质量块（1）与所述隧道尖端（2）间具有隧道间隙；

或者，所述驱动梳（3）还包括集成多个所述可移驱动梳齿（31）的可移框架（33），所述可移框架（33）与所述检验质量块（1）弹性连接，且所述可移框架（33）与所述隧道尖端（2）间具有隧道间隙。

4.如权利要求3所述的MEMS加速度计，其特征在于，所述检验质量块（1）包括穿设于所述检验质量块（1）内的镂空部（11），所述MEMS加速度计还包括第一衬底（4）、锚点（5）和止动件（6），所述隧道尖端（2）、所述固定驱动梳齿（32）、所述锚点（5）和所述止动件（6）均固定连接于所述第一衬底（4）上，所述锚点（5）设为多个，所述可移框架（33）或所述检验质量块（1）与至少一个所述锚点（5）弹性连接，所述止动件（6）设于所述镂空部（11）内，用于限制所述检验质量块（1）的移动范围。

5.如权利要求4所述的MEMS加速度计，其特征在于，所述MEMS加速度计还包括设置于所述检验质量块（1）远离所述第一衬底（4）的一侧的第二衬底（7），所述第一衬底（4）和所述第二衬底（7）两端相连，形成放置所述检验质量块（1）、所述隧道尖端（2）、所述驱动梳（3）、所述锚点（5）和所述止动件（6）的空腔。

6.一种如权利要求1所述的MEMS加速度计的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括，在多晶硅层（8）上蚀刻MEMS加速度计的结构，其中，所述结构包括检验质量块（1）和隧道尖端（2），所述隧道尖端（2）设为多个，多个所述隧道尖端（2）分布在所述检验质量块（1）的四侧，且在所述检验质量块（1）的四侧中的至少一侧，所述隧道尖端（2）对应设有至少两个。

7.如权利要求6所述的MEMS加速度计的形成方法，其特征在于，所述蚀刻MEMS加速度计的结构之后，所述方法包括，采用聚焦离子束技术，分离所述检验质量块（1）和所述隧道尖端（2），形成隧道间隙。