[发明专利]适用于高压固态功率控制器具有短路保护功能的驱动电路有效
| 申请号： | 202110141765.7 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112886545B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 曹玉峰;王浩南;赖耀康;叶雪荣;刘伟东;陈志博;王梓丞;翟国富 | 申请（专利权）人： | 北京市科通电子继电器总厂有限公司;哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 100000 北京市经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 高压 固态 功率 控制器 具有 短路 保护 功能 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于高压固态功率控制器具有短路保护功能的驱动电路，其特征在于所述驱动电路包括接通后短路保护模块和短路后接通保护模块，其中：
所述接通后短路保护模块包括驱动芯片W2、电容C16、电容C24、电阻GR1和二极管D7；
所述驱动芯片W2采用UCC27517DBV；
所述短路后接通模块包括驱动芯片W1、电阻GR2；
所述驱动芯片W2的输入端与短路保护的逻辑信号连接，驱动芯片W2的输出端分别与电容C16、电容C24以及电阻GR1的一端连接；
所述电容C16、电容C24的另一端与二极管D7的阴极连接，二极管D7的阳极分别与电阻GR3的一端以及SiC MOSFET的栅极连接；
所述电阻GR3的另一端与SiC MOSFET的源极连接，SiC MOSFET的漏极与源极与负载串联；
所述驱动芯片W1的输入端与短路保护的逻辑信号连接，驱动芯片W1的输出端与电阻GR2的一端连接，电阻GR2的另一端分别与二极管的阳极、电阻GR3的一端与SiC MOSFET的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的适用于高压固态功率控制器具有短路保护功能的驱动电路，其特征在于所述电容C16和电容C24为Ⅰ类瓷片电容。
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