[发明专利]一种紫外波段超低吸收双面增透膜及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外波段超低吸收双面增透膜，其特征在于：其结构为：

Air/1.06L0.63H1.27L0.66H/Sub/0.66H1.27L0.63H1.06L/Air，其中，H代表LaF₃膜层，L代表AlF₃膜层，Sub代表基底。

2.如权利要求1所述的紫外波段超低吸收双面增透膜，其特征在于：基底所用材料为折射率1-2的紫外窗口玻璃。

3.如权利要求2所述的紫外波段超低吸收双面增透膜，其特征在于：基底所用材料为氟化钙、蓝宝石或熔石英。

4.权利要求1-3任意一项所述的紫外波段超低吸收双面增透膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)基底加热：镀膜前对基底在抽真空状态下进行烘烤加热，提高基底温度，其中，烘烤温度为100℃～350℃，烘烤时间为1～3小时；

(2)离子束清洗：对基底进行离子束清洗，离子清洗时长为1～15min，离子束电压为50～200V，离子束流为1～8A；

(3)基底正面膜系镀制：根据膜系设计中的膜系结构，在基底正面依次镀制各膜层；

(4)基底反面膜系镀制：正面膜系镀制完成后，取出元件，重复步骤(1)～(3)对反面各膜层依次镀制。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，烘烤前，用脱脂纱布蘸无水乙醇和乙醚的(2-4):1混合液擦拭基底，然后采用超声波清洗的方式清洗基底。

6.如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)和步骤(4)中，

LaF₃膜层镀制：将LaF₃膜料放到坩埚或者钼皮舟中，采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制，其本底真空度高于1.5×10^-3Pa，沉积速率为0.05-0.1nm/s；

AlF₃膜层镀制：将AlF3膜料放到坩埚或者钼皮舟中，采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制，其本底真空度高于1.5×10^-3Pa，沉积速率为0.05-0.1nm/s。