[发明专利]一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法在审
| 申请号： | 202110141979.4 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112877770A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;赛青林 | 申请（专利权）人： | 杭州富加镓业科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导模法 生长 氧化 晶体 装置 方法 | ||
1.一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，包括：
本体，所述本体包括热场结构，所述热场结构用于保温形成热场，所述热场结构由至少一层保温层层叠而成，所述保温层由若干块子保温层拼接而成，所述若干块为两块以上的自然数；所述热场结构的中心沿轴向方向设置有贯穿上下端面的通孔；
密封层，所述密封层设置在所述本体外围，用于形成氧化镓晶体生长的密封环境。
2.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述密封层为透明密封层。
3.根据权利要求2所述的导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述密封层为石英或玻璃材质密封层。
4.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述保温层由若干块子保温层通过子母扣形式拼接而成。
5.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述保温层由2～8块子保温层拼接而成。
6.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述保温层由2～4块子保温层通过子母扣形式拼接而成。
7.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述热场结构由2～6层保温层层叠而成。
8.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述保温层的厚度为20～100mm。
9.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述保温层的上端面设置有台阶，下端面设置有凹槽，相邻两层保温层之间通过台阶与凹槽相配合的方式进行层叠。
10.一种氧化镓晶体的生长方法，其特征在于，包括步骤：采用权利要求1～9任一项所述的生长装置，进行氧化镓晶体的生长，得到氧化镓晶体。
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