[发明专利]一种掺杂的氮化铝钪靶材及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种掺杂的氮化铝钪靶材的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将氮化铝粉末、氮化钪粉末和R源粉末混合，获得混合料，混匀料制坯、均温处理获得坯料，坯料后处理，即得氮化铝钪靶材，所述R源粉末中的R选自除钪以外的16种稀土元素中的一种；所述混匀料中，R的原子百分比为0.01～10％；所述R源选自所述R源选自金属R和R的氮化物粉末；

所述制坯过程为：混匀料先升温至600～800℃保温5～20min；再升温至1100～1650℃保压30～120min，保压的压力为30～300MPa；然后冷却至600～1000℃得到坯料；

所述均温处理为在600～1000℃保温不低于0.5小时，均匀保温完成后冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的一种掺杂的氮化铝钪靶材的制备方法，其特征在于：所述混匀料中，钪的原子百分比为2～30％，

所述混匀料中，氮的原子百分比为45～50％。

3.根据权利要求1所述的一种掺杂的氮化铝钪靶材的制备方法，其特征在于：所述后处理包含退火，所述退火的温度为600～1200℃，退火的时间为12～36h。

4.根据权利要求1所述的一种掺杂的氮化铝钪靶材的制备方法，其特征在于：氮化铝钪靶材的制备环境为厌氧环境，所述厌氧环境为富氮气的环境，其中氧的分压不高于0.1Pa。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的制备方法所制备的一种掺杂的氮化铝钪靶材。

6.根据权利要求5所述的一种掺杂的氮化铝钪靶材，其特征在于：所述氮化铝钪靶材的致密度大于98％，所述氮化铝钪靶材的平均晶粒尺寸小于200μm。

7.根据权利要求5所述的一种掺杂的氮化铝钪靶材的应用，其特征在于：将所述氮化铝钪靶材作为溅射靶材制备压电薄膜。