[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110142977.7 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN113035802A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/38;H01L23/40;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
封装件，包括位于所述封装件内的芯片；
热电制冷片，位于所述封装件的上表面上且设置有复数个通孔；以及
复数个连接件，连接所述封装件与所述热电制冷片，
其中，所述热电制冷片具有位于对应所述芯片的位置处的第一部分，所述第一部分具有比其他部分更厚的厚度或密度更高的通孔数量。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述热电制冷片中的所述通孔的直径朝向所述封装件逐渐变小。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述热电制冷片由介电层和再分布线交互堆叠而成，所述通孔设置在堆叠的所述再分布线之间以电连接多层所述再分布线，所述通孔包括N型材料/P型材料。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一部分中的所述介电层和所述再分布线的层数多于所述其他部分中的所述介电层和所述再分布线的层数。
5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一部分中的所述再分布线的线宽/间距小于所述其他部分中的所述再分布线的线宽/间距，所述第一部分中的所述通孔的直径小于所述其他部分中的所述通孔的直径。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述热电制冷片包括冷端接面以及与所述冷端接面相对设置的热端接面，所述冷端接面通过所述复数个连接件连接至所述封装件的所述上表面。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述封装件和所述热电制冷片之间还设置有包覆所述复数个连接件的毛细管底部填充胶。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述封装件和所述热电制冷片之间还设置有包覆所述复数个连接件的粘合材料。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
引线，将所述封装件的所述上表面处的未被所述热电制冷片覆盖的焊盘电连接至所述热电制冷片的上表面。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装件封装有多个芯片，所述第一部分覆盖所述多个芯片，所述其他部分位于所述第一部分的两侧。
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