[发明专利]像素结构及掩膜板在审
申请号: | 202110143658.8 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN112909060A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 陈奎;陈永胜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王红红 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 掩膜板 | ||
本发明提供一种像素结构及掩膜板。像素结构包括多个像素单元,每一像素单元具有颜色不同的第一子像素、第二子像素和第三子像素;所述像素单元阵列排列成若干行和若干列,相邻两列的像素单元为镜像对称结构,在相邻两列的像素单元中,两个相邻的第三子像素成镜像对称结构,其中一个像素单元的所述第一子像素和所述第二子像素的排列方式与另一个像素单元的所述第一子像素和所述第二子像素的排列方式相同。本发明极大的提高了像素开口率,降低了掩膜板的制作难度,提高了显示装置的发光面积。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种像素结构及掩膜板。
背景技术
有机发光显示装置通过使用发二极管来显示图像(OLED),其显示性能优良。有机发光显示装置通过R、G、B三种子像素材料来实现不同显示的图像。其中子像素成型是通过掩膜板掩膜蒸镀材料实现。
目前,Real型(现实型)像素排布是真实像素密度(PPI),显示效果良好,目前主流的排布方式如图1和图2。图1所示的像素排布,每个像素都采用独立掩膜板开孔,为避免混色,像素与像素间距必须保证大于一个像素定义槽间距,开口率较低。图2中的排布在图1的基础上略有改进,两个相邻B像素可以共用一个掩膜板开孔,故两个B像素间距可以小于一个像素定义槽间距,其开口率略有提升但仍然偏低。当开发高像素密度产品时,上述的两种排列十分不适用。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种像素结构及掩膜板,以解决现有的像素排布结构的排布方式不适合开发高像素密度产品的技术问题。
为了解决上述问题,本发明提供一种像素结构,包括多个像素单元,每一像素单元具有颜色不同的第一子像素、第二子像素和第三子像素;所述像素单元阵列排列成若干行和若干列,相邻两列的像素单元为镜像对称结构,在相邻两列的像素单元中,两个相邻的第三子像素成镜像对称结构,其中一个像素单元的所述第一子像素和所述第二子像素的排列方式与另一个像素单元的所述第一子像素和所述第二子像素的排列方式相同。
进一步地,在所述像素结构中,所述第一子像素排布在奇数行,所述第二子像素排布在偶数行,所述第一子像素和所述第二子像素交替排布成若干列,所述第三子像素设于所述第一子像素和所述第二子像素所在列之间,所述第三子像素与所述第一子像素所在行对应设置或者与所述第二子像素所在行对应设置。
进一步地,所述第一子像素及所述第二子像素的面积均小于所述第三子像素的面积。
进一步地,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素绿色子像素,所述第三子像素为蓝色子像素。
进一步地,任意相邻两行所述像素单元与任意相邻两列所述像素单元所共有的四个像素单元形成一个重复单元组。
进一步地,在一个重复单元组中,四个所述第三子像素相邻设置且位于靠近所述重复单元组所在区域的中心点位置。
进一步地,在行方向上,相邻两个重复单元组中相互靠近的两列所述第一子像素的间距范围为3μm-20μm;在行方向上,相邻两个重复单元组中相互靠近的两列所述第二子像素的间距范围为3μm-20μm。
进一步地,位于同一个重复单元组中,任意相邻两个所述第三子像素的间距范围为3μm-20μm。
本发明还提供一种掩膜板,用于制作前文所述的像素结构;所述掩膜板包括第一子像素掩膜板、第二子像素掩膜板和第三子像素掩膜板;所述第一子像素掩膜板用于制作所述第一子像素;相邻两个重复单元组中的两个所述第一子像素共用一个掩膜板开孔;所述第二子像素掩膜板用于制作所述第二子像素;相邻两个重复单元组中的两个所述第二子像素共用一个掩膜板开孔;所述第三子像素掩膜板用于制作所述第三子像素;位于同一个重复单元组中的四个所述第三子像素共用一个掩膜板开孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的