[发明专利]一种金属支架可摘局部义齿工艺

权利要求书

1.一种金属支架可摘局部义齿工艺，包括以下步骤：步骤一，石膏模型制作；步骤二，蜡型支架制作；步骤三，金属支架制作；步骤四，一次清洁；步骤五，抛丸处理；步骤六，喷砂处理；步骤七，二次清洁；步骤八，支架镀钛；步骤九，排牙装盒；步骤十，充胶打磨；其特征在于：

其中在上述步骤一中，首先牙医接诊患者之后，利用硅胶材料让患者咬牙印取印模，随后将石膏粉与水按比例进行调和，继而灌装到印模之中，得到石膏模型，然后利用观测仪检查倒凹，随即画出各基牙的观测线以及支架的整体设计图，从而完成模型的设计制作；

其中在上述步骤二中，将琼脂印模材料利用水浴加热融化，随后将步骤一中设计制作完成的模型放入型盒的中间，将冷却后的融熔的琼脂印模材料注入到型盒中，凝固之后，分离模型，得到琼脂印模，然后将耐火材料按照比例调配，灌注到琼脂印模中，得到耐火材料模型，随后将耐火材料模型上画出支架图，将成品的蜡条、蜡环和固定网贴到指定的位置，冷却凝固之后得到蜡型支架；

其中在上述步骤三中，将水和包埋材料按照比例兑成糊状液体，随后将步骤二中制成完成的蜡型支架包埋进去，等待糊状液体固化，然后将固化后的包埋圈投入到茂福炉中加热，等待蜡和水完全气化，形成内部空腔，随后利用离心铸造法将熔融的金属液体灌注到型腔内部，随后敲开铸造圈，得到金属支架；

其中在上述步骤四中，将步骤三中得到的金属支架利用清水冲洗两遍，洗去表面的杂质和灰尘备用；

其中在上述步骤五中，将步骤四中清洗完成的金属支架利用抛丸机进行抛丸处理，处理完成后备用；

其中在上述步骤六中，将步骤五中抛丸处理之后的金属支架利用喷砂机进行喷砂处理，处理完成后备用；

其中在上述步骤七中，将步骤六中喷砂处理后的金属支架利用超声波清洗机进行二次清洗，清洗完成后自然干燥备用；

其中在上述步骤八中，将步骤七中二次清洗之后的金属支架通过挂件挂到真空炉中，利用电子枪将固体金属钛进行加热，使其蒸发、离化，同时向真空炉中通入高纯度的氮气，反应生成钛的氮化物沉积到金属支架表面，形成致密的氮化钛保护层；

其中在上述步骤九中，将步骤八中镀钛完成的金属支架安装到石膏模型上，随后将卡环固定到石膏模型上，随即将蜡片烤软放到石膏模型上，然后恢复压槽脊，修边，顺便用蜡将基托边缘与石膏模型之前封闭，形成蜡基托，用加热的雕刻刀将牙粒进行排列，调整咬合关系，制成蜡义齿，随后将蜡义齿拆下，装入底部铺有石膏溶液的型盒内部，等待石膏凝固，完成装盒；

其中在上述步骤十中，将步骤九中型盒进行水浴加热，去除基托蜡，随后向型盒中加注面团状树脂材料，凝固之后去除石膏部分，完成充胶，随后将充胶完成的义齿打磨去除飞边，修复牙龈形态，从而完成金属支架可摘局部义齿的制作。

2.根据权利要求1所述的一种金属支架可摘局部义齿工艺，其特征在于：所述步骤二中，水浴加热温度为85-90℃，水浴加热时间为5-10min。

3.根据权利要求1所述的一种金属支架可摘局部义齿工艺，其特征在于：所述步骤三中，包埋材料为磷酸盐和正硅酸乙酯其中一种或者两种的混合物。

4.根据权利要求1所述的一种金属支架可摘局部义齿工艺，其特征在于：所述步骤三中，茂福炉为齿科茂福炉，加热温度为500-700℃。

5.根据权利要求1所述的一种金属支架可摘局部义齿工艺，其特征在于：所述步骤七中，超声清洗的时间为30-60s。

6.根据权利要求1所述的一种金属支架可摘局部义齿工艺，其特征在于：所述步骤八中，真空炉内部加热温度为200-300℃，电子枪加热温度为1800-2000℃。

7.根据权利要求1所述的一种金属支架可摘局部义齿工艺，其特征在于：所述步骤十中，水浴加热温度温度为90-100℃，水浴加热时间为5-10min。