[发明专利]一种平均晶粒尺寸为160nm的铌酸钾钠基纳米细晶陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110146181.9 申请日: 2021-02-02
公开(公告)号: CN112898020A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 樊慧庆;全琪峰;王维佳 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 平均 晶粒 尺寸 160 nm 铌酸钾钠基 纳米 陶瓷 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种平均晶粒尺寸为160nm的铌酸钾钠基纳米细晶陶瓷的制备方法,通过向原料中加入0.5%mol氧化镧,可以减少由于碱金属元素挥发产生的氧空位,同时阻碍了晶粒的生长,达到细化晶粒的目的。通过将球磨12‑18h后烘干的粉末在800‑900℃下煅烧2‑4h,二次球磨12‑18h,烘干后再次在800‑900℃下煅烧2‑4h,之后进行三次球磨12‑18h并烘干,多次球磨和煅烧使得原料充分反应并细化,可以降低烧结的温度和保温的时间,使晶粒长大不充分而达到细化晶粒的目的。通过稀土元素镧的掺杂改性和改进的传统固相法,最终得到的铌酸钾钠基陶瓷的扫描电镜图及粒径分布图如附图2所示,其平均晶粒尺寸为160nm,晶粒尺寸分布均匀且十分细小。

技术领域

本发明属于功能材料领域,涉及一种平均晶粒尺寸为160nm的铌酸钾钠基纳米细晶陶瓷的制备方法。

背景技术

材料的性能不仅取决于材料的组分,还与材料的微观组织结构相关。在以往的研究中也发现,通过改变陶瓷材料的晶粒尺寸,影响材料的内应力、四方度、晶界和相变温度等,进而对材料的压电性能、光学性能、储能性能和介电性能等产生影响。细化陶瓷的晶粒往往可以使材料的击穿场强度大幅提高,使材料具有更高的储能密度和稳定性。此外,由于晶界作为屏障阻碍氧空位弛豫,使得细晶陶瓷的氧空位较少,弛豫活化能较高。细晶陶瓷可以在较低的温度下烧结成型,可以降低对设备的需求,减少成本。

近年来,铌酸钾钠基陶瓷由于其具有亚微米级的晶粒、丰富的相变、高的介电常数、低的介电损耗以及大的压电活性等显著特点逐渐走进人们的视野。但是传统工艺制备的铌酸钾钠陶瓷的致密度不高,烧结温区也窄,性能受到很大限制。因此,采用取代改性或优化烧结工艺,对材料的微结构参数进行调控,改善材料的性能,具有重要的研究价值和实际意义。

发明内容

要解决的技术问题

为了避免现有技术的不足之处,本发明提出一种平均晶粒尺寸为160nm的铌酸钾钠基纳米细晶陶瓷的制备方法,通过掺杂和优化烧结工艺,对材料的微观组织结构进行调控,进一步细化铌酸钾钠基陶瓷的晶粒,并使其具有良好的烧结性能。

技术方案

一种平均晶粒尺寸为160nm的铌酸钾钠基纳米细晶陶瓷的制备方法,其特征在于:稀土元素镧的掺杂和采用改进的固相法,步骤如下:

步骤1:按照镧掺杂量0.5%mol的配比称取3.433g K2CO3、2.637g Na2CO3、13.234gNb2O5、0.163g La2O3

步骤2:将原料粉末放入装有氧化锆球的聚四氟乙烯球磨罐中,以乙醇为球磨助剂进行球磨,转速为350r/min,球磨时间为12-18h;

步骤3:烘干的粉末过筛后压成块状,放在刚玉陶瓷板上,在800-900℃下煅烧2-4h;再进行二次球磨,球磨时间为12-18h;烘干过筛后在800-900℃下煅烧2-4h,之后进行三次球磨并烘干过筛,球磨时间为12-18h;

步骤4:将粉末预压成小圆片,再采用冷等静压机成型,成型压力为200-300Mpa;

步骤5:将小圆片放置撒有相同组分粉体的陶瓷板上,表面也覆盖上一层粉体,然后用刚玉坩埚盖住放入炉子中烧结;烧结温度为1180-1220℃,升温速率为3℃/min,保温时间为2-4h,随炉冷却,得到平均晶粒尺寸为160nm铌酸钾钠基纳米细晶陶瓷。

所述步骤3压成块状尺寸为直径15mm,高28-32mm的大块。

所述步骤4压成小圆片直径为10mm,厚度为0.9-1.1mm。

有益效果

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