[发明专利]一种板级GaN半桥功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、获取PCB板，所述PCB板包括金属芯板和覆盖在所述金属芯板的底面的绝缘底板；

S2、在所述金属芯板的顶面加工出第一图形，并在所述第一图形上生长金属，形成第一图形层；

S3、将GaN MOS Die固定在所述第一图形层上；

S4、再将铜箔通过固化片压合在固定好GaN MOS Die后的PCB板的顶面上；

S5、在铜箔上钻孔，且钻孔的深度止于所述GaN MOS Die或者所述金属芯板；

S6、通过生长金属填平所述钻孔，使GaN MOS Die和金属芯板均与铜箔导通；

S7、在铜箔上加工出第二图形，并在所述第二图形上生长金属，形成第二图形层；

S8、将驱动IC以及相应的被动元件固定在所述第二图形层上；

S9、再从顶面压合绝缘顶板进行顶面密封；

S10、去除金属芯板底面覆盖的绝缘底板，在金属芯板的底面加工出第三图形，并在第三图形上生长金属，形成第三图形层，其中第三图形层与铜箔连接。

2.根据权利要求1所述的板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：在S2、S6、S7和S10中，通过电镀的方式生长金属。

3.根据权利要求1所述的板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：在S2、S7和S10中，均通过刻蚀的方式加工所述第一图形、所述第二图形和所述第三图形。

4.根据权利要求1所述的板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：在S5中，通过激光进行钻孔。

5.根据权利要求1所述的板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：在S2中，第一图形层的厚度在2oz以上。

6.根据权利要求1所述的板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：在S3中，通过SMT或者固晶机将GaN MOS Die固定在所述第一图形层上。

7.根据权利要求1所述的板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：在将GaN MOSDie固定在所述第一图形层上之前，先在第一图形层上印刷锡膏。

8.根据权利要求1所述的板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：在S9中，绝缘顶板为两层厚度为0.125mm的PP板。

9.根据权利要求1所述的板级GaN半桥功率器件的制备方法，其特征在于：在S2中，在芯板金属的表面覆盖保护层，保护层与芯板金属之间的留白为所述第一图形。

10.一种板级GaN半桥功率器件，其特征在于：通过如权利要求1-9任一项所述的方法制备。