[发明专利]一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺在审

专利信息
申请号: 202110147055.5 申请日: 2021-02-03
公开(公告)号: CN112820658A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 李文浩;陆张潇;王冬冬;张伟;许原诚 申请(专利权)人: 合肥新汇成微电子有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 王峰
地址: 230000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 金凸块 外观 状况 制造 工艺
【权利要求书】:

1.一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于包括如下步骤:

第一步,溅镀:将来料的晶圆表面溅镀上复合金属膜,所述复合金属膜包括下层的钛钨层膜和上层的金层膜;

第二步,光阻涂布:通过光阻涂布机在晶圆的复合金属膜上涂覆厚度为15~35微米的第一光阻层;

第三步,曝光:通过曝光机对晶圆上需要生长出金凸块位置的光阻使用波长为410~435纳米的光进行照射20~140秒,使被照射各位置的光阻发生光化学溶解反应,形成若干曝光区;

第四步,显影:使用显影机和显影液,通过碱性显影液浸泡每个曝光区的光阻产生酸碱中和化学反应,去除掉每个曝光区的光阻,将第一光阻层需要生长出金凸块的位置打开天窗;所述显影液为质量含量为2.3~2.4%的四甲基氢氧化铵水溶液;

第五步,电镀金:在晶圆上第一光阻层的每个开窗位置均镀上高度为8~16微米的金凸块;

第六步,光阻去除:使用光阻去除机,通过光阻去除液浸泡第一光阻层,将光阻溶解去除掉;

第七步,电浆处理:使用电浆机,利用射频电源将氧气激发成等离子体,利用氧等离子体轰击晶圆和金凸块表面去除有机杂质,并提高晶圆表面的亲水性;

第八步,金蚀刻:使用金蚀刻机,通过金蚀刻液对晶圆表面的复合金属膜进行金蚀刻处理,去除掉溅镀的复合金属膜中的金层膜;

第九步,金凸块处理:对各金凸块进行表面平整处理以去除金凸块表面的凸起;

第十步,钛钨蚀刻:使用钛钨蚀刻机,通过钛钨蚀刻液对晶圆表面的钛钨层膜进行钛钨蚀刻处理,去除掉钛钨层膜;

第十一步,韧化:利用高温80℃~300℃对晶圆上的各金凸块做韧化处理。

2.根据权利要求1所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,第一步的所述来料的晶圆表面设置有若干铝垫,晶圆表面还设置有若干覆盖各铝垫的保护层,保护层的材质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅,保护层上对应每个铝垫均开设有一个裸露槽,各裸露槽与各铝垫一一对应设置,每个铝垫均通过对应裸露槽暴露出部分表面。

3.根据权利要求2所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,第三步的各所述曝光区与各铝垫一一对应设置,金凸块的垂直向下投影区域面积小于对应铝垫的面积。

4.根据权利要求3所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,第九步的所述金凸块处理细分为如下过程:

S1:二次光阻涂布:使用光阻涂布机,在晶圆和各金凸块表面涂覆厚度为0.5~1微米的第二光阻层;

S2:二次电浆处理:使用电浆机,利用射频电源将氧气激发成等离子体,利用氧等离子体轰击晶圆和金凸块表面,将晶圆表面和位于保护层上方的第二光阻层均去除,保留位于裸露槽上方的第二光阻层;

S3:二次金蚀刻:使用金蚀刻机,通过金蚀刻液对各金凸块进行金蚀刻处理,去除金凸块位于裸露槽上方第二光阻层周围的部分,实现缩小裸露槽上方金凸块部分与保护层上方金凸块部分的高度差;

S4:二次光阻去除:使用光阻去除机,通过光阻去除液浸泡各金凸块上的第二光阻层,将光阻溶解去除掉,得到表面平整的金凸块。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,所述金蚀刻液的组成成分为:碘化钾质量含量10%~25%,碘质量含量5%~10%,其余为水;钛钨蚀刻液为双氧水。

6.根据权利要求5所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,第九步的所述金凸块处理的S3过程二次金蚀刻的工艺为:金蚀刻液温度为23~26℃,蚀刻时间为70~80秒。

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