[发明专利]一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺在审
申请号: | 202110147055.5 | 申请日: | 2021-02-03 |
公开(公告)号: | CN112820658A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 李文浩;陆张潇;王冬冬;张伟;许原诚 | 申请(专利权)人: | 合肥新汇成微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 王峰 |
地址: | 230000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 金凸块 外观 状况 制造 工艺 | ||
1.一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于包括如下步骤:
第一步,溅镀:将来料的晶圆表面溅镀上复合金属膜,所述复合金属膜包括下层的钛钨层膜和上层的金层膜;
第二步,光阻涂布:通过光阻涂布机在晶圆的复合金属膜上涂覆厚度为15~35微米的第一光阻层;
第三步,曝光:通过曝光机对晶圆上需要生长出金凸块位置的光阻使用波长为410~435纳米的光进行照射20~140秒,使被照射各位置的光阻发生光化学溶解反应,形成若干曝光区;
第四步,显影:使用显影机和显影液,通过碱性显影液浸泡每个曝光区的光阻产生酸碱中和化学反应,去除掉每个曝光区的光阻,将第一光阻层需要生长出金凸块的位置打开天窗;所述显影液为质量含量为2.3~2.4%的四甲基氢氧化铵水溶液;
第五步,电镀金:在晶圆上第一光阻层的每个开窗位置均镀上高度为8~16微米的金凸块;
第六步,光阻去除:使用光阻去除机,通过光阻去除液浸泡第一光阻层,将光阻溶解去除掉;
第七步,电浆处理:使用电浆机,利用射频电源将氧气激发成等离子体,利用氧等离子体轰击晶圆和金凸块表面去除有机杂质,并提高晶圆表面的亲水性;
第八步,金蚀刻:使用金蚀刻机,通过金蚀刻液对晶圆表面的复合金属膜进行金蚀刻处理,去除掉溅镀的复合金属膜中的金层膜;
第九步,金凸块处理:对各金凸块进行表面平整处理以去除金凸块表面的凸起;
第十步,钛钨蚀刻:使用钛钨蚀刻机,通过钛钨蚀刻液对晶圆表面的钛钨层膜进行钛钨蚀刻处理,去除掉钛钨层膜;
第十一步,韧化:利用高温80℃~300℃对晶圆上的各金凸块做韧化处理。
2.根据权利要求1所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,第一步的所述来料的晶圆表面设置有若干铝垫,晶圆表面还设置有若干覆盖各铝垫的保护层,保护层的材质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅,保护层上对应每个铝垫均开设有一个裸露槽,各裸露槽与各铝垫一一对应设置,每个铝垫均通过对应裸露槽暴露出部分表面。
3.根据权利要求2所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,第三步的各所述曝光区与各铝垫一一对应设置,金凸块的垂直向下投影区域面积小于对应铝垫的面积。
4.根据权利要求3所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,第九步的所述金凸块处理细分为如下过程:
S1:二次光阻涂布:使用光阻涂布机,在晶圆和各金凸块表面涂覆厚度为0.5~1微米的第二光阻层;
S2:二次电浆处理:使用电浆机,利用射频电源将氧气激发成等离子体,利用氧等离子体轰击晶圆和金凸块表面,将晶圆表面和位于保护层上方的第二光阻层均去除,保留位于裸露槽上方的第二光阻层;
S3:二次金蚀刻:使用金蚀刻机,通过金蚀刻液对各金凸块进行金蚀刻处理,去除金凸块位于裸露槽上方第二光阻层周围的部分,实现缩小裸露槽上方金凸块部分与保护层上方金凸块部分的高度差;
S4:二次光阻去除:使用光阻去除机,通过光阻去除液浸泡各金凸块上的第二光阻层,将光阻溶解去除掉,得到表面平整的金凸块。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,所述金蚀刻液的组成成分为:碘化钾质量含量10%~25%,碘质量含量5%~10%,其余为水;钛钨蚀刻液为双氧水。
6.根据权利要求5所述的一种改善金凸块外观及压合状况的制造工艺,其特征在于,第九步的所述金凸块处理的S3过程二次金蚀刻的工艺为:金蚀刻液温度为23~26℃,蚀刻时间为70~80秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造