[发明专利]一种金属氧化物透明导电薄膜及其应用

权利要求书

1.一种金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，该金属氧化物为：在含铟的金属氧化物MO-In₂O₃中掺入少量稀土氧化物ReO作为光生载流子转换中心，形成(In₂O₃)_x(MO)_y(ReO)_z的透明导电材料，其中，x+y+z＝1，0.8≤x＜0.9999，0≤y＜0.2，0.0001≤z≤0.1。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，所述MO中，M为Sn、Bi、Ti、Zr、Hf、Ta、W、Nb、Mo中的一种或任意两种以上材料组合。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，所述稀土氧化物ReO为氧化镱、氧化铕、氧化铈、氧化镨、氧化铽中的一种或任意两种以上材料组合。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，所述金属氧化物透明导电薄膜呈方铁锰矿晶型结构。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，0.0001≤z≤0.005。

6.根据权利要求5所述的金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，0.0009≤z≤0.001。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，所述金属氧化物透明导电薄膜的载流子迁移率为50～200cm²/Vs，载流子浓度为1×10¹⁹～5×10²¹cm^-3。

8.根据权利要求7所述的金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，所述金属氧化物透明导电薄膜的载流子迁移率为120～200cm²/Vs，载流子浓度为1×10¹⁹～6×10²⁰cm^-3。

9.根据权利要求7所述的金属氧化物透明导电薄膜，其特征在于，所述金属氧化物透明导电薄膜通过采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、激光沉积工艺、反应等离子体沉积工艺、溶液法工艺中的任意一种工艺的方法制备成膜。

10.一种如权利要求1-9中任一项所述的金属氧化物透明导电薄膜在太阳电池、显示面板或探测器中的应用。