[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置

说明书

本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。所述制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成所述第一有源层；在第一有源层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二有源层；在第二有源层上形成第二绝缘层，第二有源层的刻蚀选择比大于第一绝缘层的刻蚀选择比；同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔；形成第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，第一电极部分位于第一接触孔内且与第一有源层接触，第二电极部分位于第二接触孔内且与第一有源层接触；第三电极部分位于第三接触孔内且与第二有源层接触，第四电极部分位于第四接触孔内且与第二有源层接触；形成显示膜层。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)显示面板技术，即显示面板同时包括低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，LTPO显示面板具有反应速度高、亮度高及功耗低等优势。

在制备LTPO显示面板的过程中，由于低温多晶硅薄膜晶体管的有源层与氧化物半导体薄膜晶体管的有源层之间存在绝缘层，为了避免刻蚀的过程中对低温多晶硅薄膜晶体管的有源层造成损伤，两种薄膜晶体管的有源层上方的用以容纳源电极与漏电极的接触孔不能同时形成，需采用两张掩膜版及通过两次刻蚀工艺形成，使得显示面板的制备工艺比较复杂，制备成本较高。

发明内容

本申请实施例的第一方面提供了一种显示基板的制备方法。所述显示基板包括位于显示区的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一电极及第二电极；所述氧化物半导体薄膜晶体管包括第二有源层、第三电极及第四电极；所述制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成所述第一有源层；

在所述第一有源层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二有源层；

在所述第二有源层上形成第二绝缘层，所述第二有源层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比；

对所述第一绝缘层与所述第二绝缘层进行刻蚀，同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔；所述第一接触孔与所述第二接触孔贯穿所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第一有源层；所述第三接触孔与所述第四接触孔贯穿所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第二有源层；

形成第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，所述第一电极部分位于所述第一接触孔内且与所述第一有源层接触，所述第二电极部分位于所述第二接触孔内且与所述第一有源层接触；所述第三电极部分位于所述第三接触孔内且与所述第二有源层接触，所述第四电极部分位于所述第四接触孔内且与所述第二有源层接触；

形成显示膜层。

在一个实施例中，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体；或者所述第二有源层包括层叠设置的两层或两层以上的子膜层，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的材料为多晶金属氧化物半导体。

在一个实施例中，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体时，所述第二有源层的厚度范围为10nm～100nm；所述第二有源层包括两层或两层以上的子膜层时，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的厚度范围为10nm～100nm。

在一个实施例中，所述显示基板还包括绑定区及邻接所述绑定区与所述显示区的弯折区，所述显示基板的制备方法还包括：

形成位于所述弯折区的开孔，所述开孔未贯穿所述衬底，所述绑定区可通过所述弯折区弯折至所述衬底背离所述第一绝缘层的一侧；