[发明专利]图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：设于感光区中的隔离结构和多个光电二极管；

所述隔离结构将多个所述光电二极管之间隔离呈阵列式结构，位于相邻两个光电二极管之间的所述隔离结构中形成有封闭的空气腔结构；

所述图像传感器的感光区包括层叠的光线阻挡层和器件层，所述光线阻挡层靠近进光侧；

所述隔离结构包括：位于所述光线阻挡层中的阻挡部，和位于所述器件层中的隔离部；所述阻挡部和所述隔离部对应层叠，所述空气腔结构位于所述阻挡部中；

每个所述光电二极管包括：位于所述光线阻挡层中的阻挡底部，和位于所述器件层中的器件部，每个所述光电二极管的阻挡底部和器件部对应层叠；

所述隔离结构的隔离部，将相邻所述光电二极管的器件部隔离；

所述隔离结构的阻挡部，将相邻所述光电二极管的阻挡底部隔离。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管的阵列式结构包括多行二极管和多列二极管；

所述隔离结构包括行隔离结构和列隔离结构，所述行隔离结构位于相邻两行二极管之间，所述列隔离结构位于相邻两列二极管之间，所述行隔离结构与所述列隔离结构交叉形成十字交叉区。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述行隔离结构的宽度，在靠近所述十字交叉区处缩小，所述列隔离结构的宽度，在靠近所述十字交叉区处缩小。

4.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，位于同一行隔离结构中的空气腔结构，在所述十字交叉区处相间隔；

位于同一列隔离结构中的空气腔结构，在所述十字交叉区处相间隔。

5.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述图像传感器的制作方法包括以下步骤：

步骤S1:提供基底层，所述基底层包括相对的第一面和第二面；

步骤S2:选择性刻蚀所述基底层，使得在所述基底层的感光区中形成深沟槽；所述深沟槽，在纵向上从所述基底层的第一面向所述第二面延伸，将所述基底层分隔为呈阵列式排布的器件单元；

步骤S3:通过外延生长工艺，在所述深沟槽的表面逐渐生长形成外延层，使得所述深沟槽的空间逐渐缩小至形成封闭的空气腔结构；

步骤S4:去除覆盖在所述基底层第一面上的层；

步骤S5:在外露的基底层第一面上，制作形成器件层；

步骤S6:对层叠在所述器件单元上的器件层区域，进行第一导电类型杂质离子注入，形成二极管的器件部；

步骤S7:对层叠在所述深沟槽上的器件层区域，进行第二导电类型杂质离子注入；第二导电类型杂质离子注入区，将相邻所述二极管的器件部隔离；

其中，步骤S1-S3在所述基底层中形成光线阻挡层，步骤S4-S7在所述光线阻挡层上形成器件层，所述光线阻挡层靠近进光侧；步骤S7中，在所述器件层进行第一导电类型杂质离子注入形成光电二极管的器件部，进行第二导电类型杂质离子注入形成隔离结构的隔离部；步骤S3完成后在深沟槽中形成隔离结构的阻挡部，所述隔离部对应层叠在所述阻挡部上，光电二极管形成于器件单元中，位于光线阻挡层的器件单元中形成光电二极管的阻挡底部，所述光电二极管的器件部对应层叠在阻挡底部上。

6.如权利要求5所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述深沟槽的包括相交叉的行深沟槽和列深沟槽，所述行深沟槽和所述列深沟槽交叉区域形成十字交叉区；

所述行深沟槽的宽度在靠近所述十字交叉区处缩小，所述列深沟槽的宽度，在靠近所述十字交叉区处缩小。