[发明专利]一种一维TiO2有效

专利信息
申请号: 202110153558.3 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN113024974B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 李伟平;侯亚飞;魏世鑫;郑雅倩;武志杰 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08K9/10;C08K9/04;C08K7/08;C08J5/18
代理公司: 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 代理人: 何仲
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 tio base sub
【权利要求书】:

1.一种一维TiO2纳米线杂化结构掺杂的聚偏氟乙烯复合薄膜,其特征在于:所述的一维TiO2纳米线杂化结构为一维TiO2纳米线外面包裹Fe3O4微粒,再用乙二胺EDA修饰,所述的一维TiO2纳米线杂化结构在复合薄膜中的掺杂量为1~4vol%。

2.根据权利要求1所述的一种一维TiO2纳米线杂化结构掺杂的聚偏氟乙烯复合薄膜,其特征在于:所述的一维TiO2纳米线杂化结构在复合薄膜中的掺杂量为1vol%、2vol%、3vol%或者4vol%。

3.一种权利要求1所述的一维TiO2纳米线杂化结构掺杂的聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法,其特征在于步骤如下:

(1)合成TiO2纳米线

A.将1-5g二氧化钛纳米颗粒加入到10M氢氧化钠溶液中先超声处理30-60分钟,然后在磁力搅拌下均匀混合搅拌1-5小时,将混合溶液转移至带有特氟龙的高压反应釜中,于150℃~250℃反应12~24小时,待反应完成后,将产物洗涤至中性,烘干即得钛酸钠纳米线;

B.将钛酸钠纳米线浸泡在0.2M的HCl中4-6小时,洗涤、干燥后即得H2Ti3O7纳米线,将H2Ti3O7纳米线放入高温箱式炉中退火2-5小时,收集产物即为TiO2纳米线;

(2)合成TiO2@Fe3O4纳米线:

A.将1-5g TiO2纳米线、0.0 1g聚乙烯吡咯烷酮和150ml去离子水加入到三口烧瓶中,将三口烧瓶放在超声清洗器中超声20-40分钟后,搅拌3-5小时,形成溶液A;

B.取0.16g FeCl3·6H2O和0.32g FeSO4·7H2O置于小烧杯中加入50ml水溶解,低速搅拌成均匀混合溶液B;

C.在50-70℃的水浴锅中,将混合溶液B逐滴加入溶液A中直至溶液由原来的乳白色变为浅褐色,继续搅拌1-3小时,收集产物,清洗、离心、真空干燥后得到TiO2@Fe3O4纳米线;

(3)TiO2@Fe3O4纳米线的乙二胺有机修饰

取1-5gTiO2@Fe3O4纳米线和30mL 0.02M的乙二胺盐酸盐溶液加入到三颈烧瓶中,在50-80℃的水浴锅中,超声20-40分钟,搅拌12小时,收集产物,清洗、离心以及真空干燥后得到TiO2@Fe3O4@EDA纳米线;

(4)复合薄膜的制备

将TiO2@Fe3O4@EDA纳米线、二甲基甲酰胺和聚偏氟乙烯粉末混合,搅拌反应12-18小时后抽真空后,滴在水平导电玻璃上并铺平,然后迅速抽真空,60℃加热烘干多余溶剂,继续升温至205℃保温10分钟后,将薄膜放入冰水中淬火、清洗后烘干,即得到一维TiO2纳米线杂化结构掺杂的聚偏氟乙烯复合薄膜,其中TiO2@Fe3O4@EDA纳米线在复合薄膜中的掺杂量为1~4vol%。

4.权利要求3所述的一种一维TiO2纳米线杂化结构掺杂的聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)A中二氧化钛纳米颗粒加入到氢氧化钠溶液中磁力搅拌速度为300~700r/min;步骤(1)B中高温箱式炉的退火温度在60~80℃。

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