[发明专利]一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法

权利要求书

1.一种水平结构的忆阻器均一性优化方法，其中水平结构的忆阻器包括双端水平电极、介电材料、基底；双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO₂的硅片、玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯作为基底；其特征在于：忆阻器均一性优化方法包括：

包括以下步骤，

步骤一：清洗；

将SiO₂/Si基片放入烧杯，加入几滴Decon清洗剂和设定量的超纯水，超声烧杯10-20min；取出烧杯重新加超纯水冲洗至无泡沫，再加设定量的超纯水超声5-10min，重复2-3次；

步骤二：烘干；

将清洗完的SiO₂/Si基片用N₂枪吹干，放入真空干燥箱在120℃下烘干30min；

步骤三：UVO亲水化处理；

将SiO₂/Si基片放入UVO清洁器中处理20-40min；

步骤四：钙钛矿微米棒制备；

采用一步自组装法在疏水铟锡氧化物镀膜玻璃上合成了卤化铅钙钛矿微米棒，具体包括：

首先，分别配置溶解了CH₃NH₃Br的二甲基甲酰胺溶液和溶解了PbBr₂的DMF溶液；其中，二甲基甲酰胺溶液的浓度和DMF溶液的浓度相同；

然后将这两种溶液以1:1-1.1:1体积比在室温下充分混合形成CH₃NH₃Br∙PbBr₂溶液；

将获得的溶液涂满ITO玻璃面，并放置在一个50毫升烧杯内的聚四氟乙烯台子上；

将30-40ml二氯甲烷放入烧杯中，用多孔膜密封，以控制溶液的蒸发速度；

48小时后，在此ITO玻璃面上成功合成了钙钛矿CH₃NH₃PbBr₃微米棒晶体，用于后续的器件制备

步骤五：EBL预制水平结构电极；

在SiO₂/Si基片上以EBL技术设计Cr / Ag电极的图案；

步骤六：蒸镀；

在设计好电极的在SiO₂/Si基片上蒸镀沉积2-10nm厚的Cr金属层和20-60nm厚度的Ag金属层，最终得到器件的水平金属电极层；

步骤七：干法转移钙钛矿微米棒；

制备聚二甲基硅氧烷薄膜，利用该薄膜通过典型的干转移方法将钙钛矿微米棒压到双端水平结构的Ag电极上，得到最终器件。

2.根据权利要求1所述的忆阻器均一性优化方法，其特征在于：电极的金属为金、银、铝、镁之一。

3.根据权利要求1所述的忆阻器均一性优化方法，其特征在于：还包括步骤八：检测；

用半导体分析仪研究器件的电学性能，通过施加电场实现准确调控器件的电阻态。